[发明专利]发光装置及电子设备

说明书

相关申请的交叉引用：本申请基于2010年9月28日提出的日本专利申请特愿2010-217617号。在本说明书中，参照并包含该在先申请的说明书、专利请求范围以及附图整体。

技术领域

本发明涉及发光装置及电子设备。

背景技术

有机EL(电致发光)元件具备阳极、阴极以及形成在这些电极之间的有机薄膜层(电子注入层、发光层、空穴注入层等)。有机EL元件为，在发光层中，通过由于从空穴注入层供给的空穴和从电子注入层供给的电子进行复合而产生的能量来进行发光。通过对有机薄膜层施加规定的电压阈值以上的电压来实现该发光，并根据该施加电压来控制其发光亮度。如日本特开2001-195012号公报所公开的那样，这种有机EL元件用于各种电子设备的显示装置，例如通过包含TFT(薄膜晶体管：Thin Film Transistor)以及电容器等的驱动电路来驱动。此外，有机EL元件与上述驱动电路一起形成在基板上。

然而，基板上的上述驱动电路的布局非常重要。尤其是，对与TFT的栅极源极之间的电位差相对应的量的电荷进行蓄积、并对该电位差进行保持的电容器的面积，优选为比较大。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供电容器的面积较大的发光装置及电子设备。

为了实现上述目的，本发明的发光装置具备：

发光元件，包括第一电极、与上述第一电极对置的第二电极以及设置在上述第一电极和上述第二电极之间的发光层；

电容器，具有形成在与上述发光元件重叠的位置上的第三电极和设置在上述第一电极和上述第三电极之间的绝缘层；

第一驱动晶体管，配置在上述第一电极的第一边侧，具有栅电极；及

第二驱动晶体管，配置在上述第一电极的第二边侧，具有栅电极，该栅电极经由上述第三电极与上述第一驱动晶体管的上述栅电极连接。

附图说明

图1是从基板侧观察本发明一个实施方式的发光装置的俯视图。

图2是表示图1的发光装置内部的电路结构的示意图。

图3是表示图1的发光装置的像素电路的图。

图4是图3的像素电路的等效电路图。

图5是表示图1的发光装置的构造的概略放大布局图。

图6A是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的A-A截面的图。

图6B是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的B-B截面的图。

图6C是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的C-C截面的图。

图6D是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的D-D截面的图。

图7A是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的A-A截面的图。

图7B是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的B-B截面的图。

图7C是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的C-C截面的图。

图7D是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的D-D截面的图。

图8A是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的A-A截面的图。

图8B是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的B-B截面的图。

图8C是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的C-C截面的图。

图8D是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的D-D截面的图。

图9A是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的A-A截面的图。

图9B是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的B-B截面的图。

图9C是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的C-C截面的图。

图9D是表示图1的发光装置的形成过程中的图5的D-D截面的图。

图10A是表示图5的A-A截面的图。

图10B是表示图5的B-B截面的图。

图10C是表示图5的C-C截面的图。

图10D是表示图5的D-D截面的图。

图11是表示比较例的发光装置的构造的概略放大布局图。

图12A是从斜前方观察作为使用图1的发光装置的电子设备的数码相机的立体图。

图12B是从斜后方观察作为使用图1的发光装置的电子设备的数码相机的立体图。

图13是表示作为使用图1的发光装置的电子设备的个人计算机的立体图。

图14是表示作为使用图1的发光装置的电子设备的便携式电话的图。