[发明专利]电子发射装置及显示装置

权利要求书

1.一种电子发射装置，包括一阴极及一栅极，所述栅极与所述阴极间隔设置并与所述阴极电绝缘，其特征在于，所述栅极为一碳纳米管复合层，该碳纳米管复合层包括一碳纳米管层以及一介质层包覆于该碳纳米管层的整个表面。

2.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述介质层的材料为类金刚石、硅、碳化硅、二氧化硅、氮化硼、氧化铝以及氮化硅中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述介质层的厚度为1纳米~100微米。

4.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层为由多个碳纳米管组成的整体结构，所述介质层包覆于所述碳纳米管层中碳纳米管的表面。

5.如权利要求4所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层中多个碳纳米管相互连接形成网络结构。

6.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层包括碳纳米管膜、碳纳米管线或上述两者任意的组合。

7.如权利要求6所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个沿同一方向择优取向延伸的碳纳米管。

8.如权利要求7所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管膜层叠设置，相邻两层的碳纳米管膜中的碳纳米管的排列方向形成一夹角α，且0°≦α≦90°。

9.如权利要求6所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管线是由多个首尾相连的碳纳米管择优取向延伸组成的非扭转结构或由多个首尾相连的的碳纳米管螺旋延伸组成的扭转结构。

10.如权利要求6所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管线分别沿第一方向与第二方向平行排列，所述第一方向与第二方向之间形成一夹角α，0°≦α≦90°。

11.一种电子发射装置，包括一阴极及一栅极，所述栅极与所述阴极正对且间隔设置，其特征在于，所述栅极为一碳纳米管复合层，该碳纳米管复合层包括一碳纳米管层以及一介质层包覆于该碳纳米管层的表面，该碳纳米管复合层为多孔结构。

12.如权利要求11所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管复合层在厚度方向具有多个贯穿的通孔。

13.如权利要求12所述的电子发射装置，其特征在于，所述多个通孔的内壁包覆有所述介质层。

14.如权利要求11所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层为由多个碳纳米管组成的整体结构，所述介质层包覆于所述碳纳米管层中碳纳米管的表面。

15.如权利要求14所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层中被介质层包覆的碳纳米管之间存在空隙。

16.如权利要求14所述的电子发射装置，其特征在于，所述介质层至少包覆于该碳纳米管层与所述阴极对应部分的碳纳米管的至少部分表面。

17.如权利要求14所述的电子发射装置，其特征在于，在电场作用下，所述阴极发射电子向所述栅极运动，所述碳纳米管层中被所述阴极发射电子直接轰击到的碳纳米管的表面包覆有所述介质层。

18.如权利要求14所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层包括碳纳米管膜、碳纳米管线或上述两者任意的组合。

19.如权利要求14所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管层中多个碳纳米管基本平行于所述碳纳米管层的表面。

20.一种电子发射装置，包括一基板以及设置于该基板表面的多个电子发射单元，每个电子发射单元包括一阴极及一栅极，所述阴极包括多个电子发射体，所述栅极悬空设置在所述阴极电子发射体的上方，其特征在于，所述栅极为一碳纳米管复合层，该碳纳米管复合层包括一碳纳米管层以及一介质层，所述碳纳米管层包括多个碳纳米管被所述介质层包覆，所述碳纳米管层中被介质层包覆的碳纳米管之间存在空隙。

21.一种显示装置，包括至少一如权利要求1至20项任意一项所述的电子发射装置，以及一阳极，该阳极与所述电子发射装置中的阴极相对设置，所述电子发射装置中的栅极设置在所述阴极与所述阳极之间，并与所述阴极及所述阳极间隔。