[发明专利]一种超材料介质基板及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201110296919.6 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN103013042A 公开(公告)日: 2013-04-03
发明(设计)人: 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;林云燕 申请(专利权)人: 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08K7/26;C08K9/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料 介质 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种超材料介质基板的加工方法,其特征在于,包括以下步骤,

101.制备介孔二氧化硅;

102.制备介孔二氧化硅-环氧树脂复合材料;

103.将介孔二氧化硅-环氧树脂复合材料热压成超材料介质基板。

2.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤101中,所述制备介孔二氧化硅包括以下步骤,

1011.将盐酸溶液与聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三嵌段共聚物置于四口烧瓶中,加热搅拌均匀;

1012.将正硅酸乙酯加热搅拌均匀,缓慢注入上述混合溶液中;

1013.将溶液静置后放入水热反应釜中晶化,将晶化的沉淀过滤、洗涤、干燥后置于马沸炉内煅烧,得到介孔二氧化硅。

3.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1011中,所述盐酸溶液的浓度控制在1-5mol/L。

4.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1012中,所述正硅酸乙酯加热的温度控制在30-60℃。

5.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1013中,所述晶化温度控制在90-120℃,晶化时间控制在20-30h。

6.根据权利要求2所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1013中,所述煅烧温度控制在450-650℃,煅烧时间控制在5-10h。

7.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤102中,所述制备介孔二氧化硅-环氧树脂复合材料包括以下步骤,

1021.将介孔二氧化硅疏水改性,将介孔二氧化硅置于烧杯中,加入硅烷偶联剂,用超声波分散后加热搅拌均匀,离心、洗涤后得到改性后的介孔二氧化硅;

1022.将环氧树脂、环氧树脂稀释剂加热,边搅拌边加入改性后的介孔二氧化硅、甲基六氢苯酰,除去溶剂得到介孔二氧化硅-环氧树脂复合材料。

8.根据权利要求7所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1021中,所述硅烷偶联剂为γ-氨丙基三乙氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷,加入硅烷偶联剂的质量比为0.1%-1.2%。

9.根据权利要求7所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1022中,所述加入改性后介孔二氧化硅与环氧树脂的质量比为60-80∶40-20。

10.根据权利要求7所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1022中,所述甲基六氢苯酐的加入量为环氧树脂加入量的1%-45wt%。

11.根据权利要求7所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤1022中,所述环氧树脂稀释剂为丙酮、苯、甲苯、二甲苯。

12.根据权利要求1所述的超材料介质基板的加工方法,其特征在于,所述步骤103中,所述热压的温度为50-370℃,热压的压力为5-50MPa。

13.一种超材料介质基板,其特征在于,所述介质基板由改性后的介孔二氧化硅与环氧树脂复合而成,所述改性后的介孔二氧化硅与环氧树脂的质量比为60-80∶40-20。

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