[发明专利]一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法无效
申请号: | 201110297548.3 | 申请日: | 2011-10-08 |
公开(公告)号: | CN103035505A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 周艺;郭长春;肖斌;欧衍聪;何文红;李荡;黄燕 | 申请(专利权)人: | 长沙理工大学 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410114 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 辉光 颜色 控制 等离子 刻蚀 反应 速率 方法 | ||
1.一种利用辉光颜色控制等离子刻蚀反应速率的方法,其特征包括以下工艺步骤:1)放入硅片,关上反应室门,打开真空泵,将腔室压力抽到5mTorr以下;2)通入反应气体,O2的流量为40~50sccm,N2的流量为40~150sccm,CF4流量为240~500sccm,压力恒定到300~400mTorr;3)打开高频电源,进行辉光,通过观察辉光颜色,来确定最佳的射频功率(800~900W)和反应时间(700~1000s);4)关闭高频电源,停止通入反应气体,将腔室压力抽到5mTorr以下时,通入N2,直到反应室内压强为标准大气压,打开反应室门,取出硅片。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于反应室通入定量的氮气,通过观察辉光的颜色,来确定最佳的反应时间和射频功率。
3. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于O2的流量为40~50sccm,N2的流量为40~150sccm,CF4流量为240~500sccm,压力恒定到300~400mTorr,射频功率功率为800~900W,时间为700~1000s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙理工大学,未经长沙理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110297548.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:挖孔桩类土钉式护壁构造
- 下一篇:一种负压引流管储蓄防护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造