[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

在现有技术中，双鳍型场效应晶体管的结构通常如下：在半导体衬底上具有突出的两个半导体鳍片(用于制作沟道)，在该两个半导体鳍片的两端共同接有一对源/漏区，在两个半导体鳍片相背离的外侧侧壁上分别形成各自的栅极。

尽管双鳍型场效应晶体管具有两个半导体鳍片，而且每个半导体鳍片上具有各自的栅极，但是由于两个半导体鳍片共用同一对源/漏区，所以在对双鳍型场效应晶体管进行控制的过程中，仍然无法将其看作是两个独立的半导体器件，因此，希望在双鳍型场效应晶体管中可以形成两个真正独立的半导体器件，便于灵活地对其分别进行控制。

此外，双鳍型场效应晶体管的栅极位于两个半导体鳍片相背离的外侧侧壁上，而两个半导体鳍片之间的区域被暴露出来，所以，希望可以对两个半导体鳍片之间的区域进行处理，以进一步提高双鳍型场效应晶体管的性能。

发明内容

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，可以形成两个独立的半导体器件，以及通过在该两个独立的半导体器件之间形成应力介电层以向沟道施加应力，从而提高半导体器件的性能。

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，该方法的步骤包括：

a)提供衬底，在该衬底上形成并行的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，以及用于形成源/漏区的第一源/漏结构和第二源/漏结构，其中，所述第一源/漏结构和第二源/漏结构分别与所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的两端相连接；

b)在位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上分别形成第一栅堆叠和第二栅堆叠，以及在所述第一源/漏结构和第二源/漏结构中分别形成第一源/漏区和第二源/漏区；

c)在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间形成介电层。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种半导体结构的制造方法，该方法的步骤包括：

a)提供衬底，在该衬底上形成半导体基体、以及分别与该半导体基体的两端相连接的源/漏结构；

b)在所述半导体基体相对的两个侧壁上分别形成第一栅堆叠和第二栅堆叠、以及在所述源/漏结构中形成源/漏区；

c)去除所述半导体基体的中间部分，形成并行的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；

d)分割所述源/漏结构，形成第一源/漏结构和第二源/漏结构，其中，所述第一源/漏结构和第二源/漏结构分别与所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的两端相连接；

e)在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间形成介电层。

根据本发明的又一个方面，还提供了一种半导体结构的制造方法，该方法的步骤包括：

a)提供衬底，在该衬底上形成半导体基体、以及分别与该半导体基体的两端相连接的源/漏结构；

b)在所述半导体基体相对的两个侧壁上分别形成第一栅堆叠和第二栅堆叠、以及在所述源/漏结构中形成源/漏区；

c)去除所述半导体基体的中间部分，形成并行的第一半导体鳍片和第二半导体鳍片；

d)在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间形成介电层；

e)分割所述源/漏结构，形成第一源/漏结构和第二源/漏结构，其中，所述第一源/漏结构和第二源/漏结构分别与所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片的两端相连接。

根据本发明的又一个方面，还提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：

衬底，包括半导体层以及位于该半导体层之上的绝缘层；

第一半导体鳍片和第二半导体鳍片，并行地位于所述衬底之上；

第一源/漏区和第二源/漏区，该第一源/漏区位于与所述第一半导体鳍片的两端相连接的第一源/漏结构中，该第二源/漏区位于与所述第二半导体鳍片的两端相连接第二源/漏结构中；

第一栅堆叠和第二栅堆叠，分别位于所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片相背离的外侧侧壁上；

其中，在所述第一半导体鳍片和第二半导体鳍片之间存在介电层。

与现有技术相比，本发明的优点如下：

(1)形成了两个独立的半导体器件，即，两个半导体鳍片具有各自的源/漏区、以及各自的栅极，如此一来，便于施加不同的源/漏电压对该两个独立的半导体器件进行控制；