[发明专利]一种超材料介质基板材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110297857.0 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103011822A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;赵治亚;缪锡根;安娜·玛丽亚·劳拉·博卡内格拉;林云燕;曹燕归;付珍 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/63;C04B35/622;C04B35/645 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 介质 板材 料及 制备 方法 | ||
1.一种超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
101.制备碳化硅陶瓷多层板；
102.根据需要选择不同质量比的碳化硅和烧结助剂，重复上述步骤，得到不同的碳化硅陶瓷多层板，将其烧结形成超材料的介质基板材料。
2.根据权利要求1所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤101中，制备所述碳化硅陶瓷多层板包括以下步骤：
1011.将碳化硅粉末、混合助剂、烧结助剂混合后研磨成细小颗粒；
1012.将研磨后的细小颗粒用超声洗涤并干燥；
1013.利用热等静压工艺对细小颗粒进行液相烧结，得到碳化硅陶瓷原材；
1014.将上述步骤得到的碳化硅陶瓷原材烧结成碳化硅陶瓷多层板。
3.根据权利要求2所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1011中，所述烧结助剂为氧化铝或氧化钇或两者的混合物，所述烧结助剂的质量比为8％-12％。
4.根据权利要求3所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述氧化铝和氧化钇的混合物中氧化铝与氧化钇的质量比为，氧化铝∶氧化钇＝2∶1-4∶1。
5.根据权利要求2所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1011中，所述混合助剂为水和乙醇，两者的质量比为，水∶乙醇＝9∶1。
6.根据权利要求2所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1011中，所述烧结助剂的平均粒径为3-5μm，纯度≥99％。
7.根据权利要求2所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1011中，所述碳化硅的平均粒径为3-5μm，纯度≥99％。
8.根据权利要求2所述的超材料介质基板材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1013中，所述热等静压工艺的压力≥180MPa，热等静压工艺的温度控制在1900-2000℃，热等静压工艺的时间控制在5-15min。
9.一种超材料介质基板材料，其特征在于，所述介质基板材料由碳化硅陶瓷多层板层叠而成，所述碳化硅陶瓷多层板中烧结助剂的质量比为8％-12％。
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