[发明专利]一种负磁导率超材料有效
| 申请号： | 201110297868.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103022720A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 刘若鹏;栾琳;寇超锋;叶金财 | 申请（专利权）人： | 深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁导率 材料 | ||
1.一种负磁导率超材料，包括非金属材料制成的基板和附着在基板上的多个人造微结构，所述人造微结构为导电材料的丝线，其特征在于，所述人造微结构包括近“凹”字形开口环和自所述近“凹”字形开口环的两末端点延伸的蛇形弯折部。
2.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述近“凹”字形开口环包括一矩形线框的一条直边上有断开而形成的矩形开口环和自断开的所述线框的两端点向所述矩形开口环内部垂直延伸的一对平行线，所述近“凹”字形开口环的两末端点为所述一对平行线的末端点。
3.根据权利要求2所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述两末端点上各连接有一蛇形弯折部，且两个所述蛇形弯折部对称设置。
4.根据权利要求2所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述两个蛇形弯折部相向延伸。
5.根据权利要求2所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述蛇形弯折部的拐角为直角或者圆角。
6.根据权利要求2所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述蛇形弯折部的走线间距等于线宽。
7.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构在所述基板上成矩形阵列排布，且行间距和列间距均小于一入射电磁波波长的五分之一。
8.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述基板由陶瓷、聚四氟乙烯或环氧树脂材料制成。
9.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构为铜线或者银线。
10.根据权利要求1所述的负磁导率超材料，其特征在于，所述人造微结构的材料为ITO、碳纳米管或者石墨。
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