[发明专利]边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底以及其制造方法

权利要求书

1.一种边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

进行一第一光刻工艺，用以在该基底上形成多条栅极线、多个栅极电极以及一共通电极，该第一光刻工艺包括：

形成一第一导电层于该基底上，并在该第一导电层上形成一第一图案化光阻；

去除未被该第一图案化光阻覆盖的该第一导电层，用以在该基底上形成该多个栅极线与该多个栅极电极；

形成一第一透明导电层，覆盖该基底与该第一图案化光阻；以及

剥离该第一图案化光阻以及覆盖在该第一图案化光阻上的该第一透明导电层，用以在该基底上形成该共通电极；

形成一栅极介电层，用以覆盖该基底、该多个栅极线、该多个栅极电极以及该共通电极；

进行一第二光刻工艺，形成一图案化半导体层于该栅极介电层上；

进行一第三光刻工艺，形成多条数据线、多个源极电极以及多个漏极电极于该栅极介电层与该图案化半导体层上；

进行一第四光刻工艺，形成多个像素电极于该栅极介电层上，其中各该像素电极与对应的该漏极电极接触用以形成电连结；以及

进行一第五光刻工艺，形成一保护层于该栅极介电层、该多个数据线、该多个源极电极、该多个漏极电极以及该多个像素电极上，其中该保护层具有多个第一开口，且各该第一开口至少部分暴露该像素电极。

2.如权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，该第一导电层在该第一光刻工艺中被蚀刻，该栅极线的宽度小于位在该栅极线上的该第一图案化光阻的宽度，且各该栅极电极的宽度小于位在该栅极电极上的该第一图案化光阻的宽度。

3.如权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，该像素电极具有多条条状电极以及多个狭缝，该多个条状电极彼此平行设置且互相电连结，且各该狭缝位于各该条状电极间。

4.如权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，各该栅极线包括一栅极垫电极，且各该数据线包括一数据垫下电极。

5.如权利要求4所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，进一步包括通过该第四光刻工艺形成多个数据垫上电极，其中各该数据垫上电极与对应的该数据垫下电极电连结。

6.如权利要求5所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，该保护层与该栅极介电层具有多个第二开口，该保护层具有多个第三开口，该栅极介电层具有至少一第四开口，各该第二开口部分暴露对应的该栅极垫电极，各该第三开口部分暴露对应的该数据垫上电极，且该第四开口部分暴露该共通电极。

7.如权利要求6所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，进一步包括通过该第一光刻工艺形成的一共通电极线。

8.如权利要求7所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，该栅极介电层进一步具有至少一第五开口，且该第五开口部分暴露该共通电极线。

9.如权利要求8所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，进一步包括通过该第四光刻工艺形成一连结线，其中该连结线通过该第四开口与该共通电极电连结，且该连结线通过该第五开口与该共通电极线电连结。

10.如权利要求1所述的边缘电场切换型液晶显示板的阵列基底的制造方法，其特征在于，该栅极线与该共通电极间的间隔是在0.2微米到2微米之间，且该栅极电极与该共通电极间的间隔是在0.2微米到2微米之间。