[发明专利]堆栈金属栅极的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201110298465.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315112A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 堆栈 金属 栅极 刻蚀 方法 | ||
1.一种堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，包括步骤：
提供控片，所述控片上形成有多晶硅层；
提供产品晶圆，所述产品晶圆上依次形成有栅极氧化层、多晶硅层和金属层；
设置暖机刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下对控片上的多晶硅层进行刻蚀；
设置主刻蚀步骤刻蚀参数，在此刻蚀参数下依次刻蚀产品晶圆上的栅极氧化层、多晶硅层和金属层，形成堆栈金属栅极；
其特征在于，暖机刻蚀步骤刻蚀参数相对于主刻蚀步骤刻蚀参数，暖机刻蚀步骤刻蚀参数不包含能产生氟离子和氯离子的气体。
2.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述暖机刻蚀步骤采用的气体为溴化氢。
3.如权利要求2所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述溴化氢的流量范围为80～200sccm。
4.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述暖机刻蚀步骤刻蚀腔的压力范围为8～60mtorr。
5.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，进行主刻蚀步骤采用的气体为三氟化氮、氯气和溴化氢。
6.如权利要求5所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述三氟化氮的流量范围为18～60sccm、氯气流量范围为23～43sccm、溴化氢流量范围为80～200sccm。
7.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤刻蚀腔的压力范围为8～60Mtorr。
8.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述多晶硅层和金属层之间形成有扩散阻挡层。
9.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述金属层上形成有保护层。
10.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述金属层材料为钨或钨硅化合物。
11.如权利要求1所述堆栈金属栅极的刻蚀方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料为氮化钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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