[发明专利]清洗半导体基底和形成栅介质层的方法有效
| 申请号： | 201110298507.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102315098A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 舒畅 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 半导体 基底 形成 介质 方法 | ||
1.一种清洗半导体基底的方法，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上含有碱性金属；
通入卤代烃，去除所述碱性金属；
通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。
2.如权利要求1所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，进一步包括：所述清洗气体包括含氧的反应气体。
3.如权利要求2所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述含氧的反应气体包括O2、H2O2、O3中的一种或多种的组合。
4.如权利要求3所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述清洗气体还包括载流气体，所述载流气体包括N2、惰性气体中的一种或多种的组合。
5.如权利要求4所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述含氧的反应气体的体积与所述载流气体的体积的比值大于等于30。
6.如权利要求5所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述载流气体的体积大于等于20升。
7.如权利要求1至6中任一项所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述卤代烃是反式二氯乙烯。
8.如权利要求1至6中任一项所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，进一步包括：去除所述卤代烃的残留物后，通入惰性气体的步骤。
9.如权利要求1至6中任一项所述的清洗半导体基底的方法，其特征在于，所述半导体基底包括栅介质层，所述碱性金属位于所述栅介质层上。
10.一种形成栅介质层的方法，包括：
提供半导体基片；
在所述半导体基片上形成栅介质层，所述栅介质层上含有碱性金属；
通入卤代烃，去除所述碱性金属；
通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。
11.如权利要求10所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述清洗气体包括含氧的反应气体。
12.如权利要求11所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述含氧的反应气体包括O2、H2O2、O3中的一种或多种的组合。
13.如权利要求12所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述清洗气体还包括载流气体，所述载流气体包括N2、惰性气体中的一种或多种的组合。
14.如权利要求13所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述含氧的反应气体的体积与所述载流气体的体积的比值大于等于30。
15.如权利要求14所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述载流气体的体积大于等于20升。
16.如权利要求10至15中任一项所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，所述卤代烃是反式二氯乙烯。
17.如权利要求10至15任一项所述的形成栅介质层的方法，其特征在于，进一步包括：去除所述卤代烃的残留物后，通入惰性气体的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
