[发明专利]高压氮化物LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压氮化物LED器件的制造方法，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底上依次形成有N型氮化物成核层和外延层；

蚀刻所述外延层形成N型接触电极台阶；

依次蚀刻所述N型氮化物成核层，形成LED隔离沟槽，所述LED隔离沟槽暴露出所述衬底的表面；

在所述N型接触电极台阶上制作N型接触电极，在所述外延层上制作P型接触电极，形成多个LED单元芯片；

对所述多个LED单元芯片进行光电性能测试，并根据所述测试结果选择性的对所述多个LED单元芯片进行激光划片，以将多个LED单元芯片分组切割成至少一个LED模块；

对所述LED模块进行封装，所述LED模块中的各LED单元芯片通过引线进行串联和/或并联，形成高压氮化物LED器件。

2.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：在所述衬底上形成N型氮化物成核层之前，还包括：在所述衬底上形成氮化物缓冲层。

3.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述外延层包括依次形成于所述N型氮化物成核层上的多量子阱有源层、P型氮化物层和P型限制层。

4.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：形成所述外延层之后，在所述外延层上沉积透明导电层，蚀刻所述外延层之前先蚀刻所述透明导电层。

5.根据权利要4所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述P型接触电极位于所述透明导电层之上。

6.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：所述N型接触电极和P型接触电极的材质为镍金合金。

7.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：对所述多个LED单元芯片进行光电性能测试之前，还包括：减薄所述衬底。

8.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：对所述LED模块进行板上晶片直装。

9.根据权利要求1所述高压氮化物LED器件的制造方法，其特征在于：形成高压氮化物LED器件之后，还包括：在所述高压氮化物LED器件上涂覆荧光粉硅胶。

10.一种利用权利要求1所述的高压氮化物LED器件的制造方法形成的高压氮化物LED器件，包括：

至少一个高压LED模块，每个高压LED模块包括至少两个LED单元芯片，其中，每个LED单元芯片具有N型接触电极和P型接触电极，各LED单元芯片通过N型接触电极和P型接触电极进行串联和/或并联；以及

一基板，所述基板表面设置有基板电极，所述基板电极与所述高压LED模块通过引线键合。