[发明专利]照度传感装置无效
申请号: | 201110299004.0 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102410876A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 何江华;徐立杰 | 申请(专利权)人: | 成都英泰力电子有限公司 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;G08C17/02 |
代理公司: | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人: | 濮家蔚 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 照度 传感 装置 | ||
1.照度传感装置,其特征为包括分别与储能供电单元连接的无线发射单元和照度感应单元,照度感应单元向无线发射单元提供触发信号,其中的储能供电单元为在太阳能的光电转换装置(J1)与电能输出端之间设置有储能结构,所说的储能结构为并联状态的第一储能装置(C1)和第二储能装置(C2),且第二储能装置(C2)的储能容量大于第一储能装置(C1),在第二储能装置(C2)所在的并联电路中,在该第二储能装置(C2)之前还设有第一电压控制结构(U1)及受其控制的第一开关单元(Q1)控制该充电电路的通断,只当第一储能装置(C1)的输出电压(VCC)高于该第一电压控制结构(U1)的设定阈值时,第一电压控制结构(U1)导通第一开关单元(Q1)对第二储能装置(C2)充电。
2.如权利要求1所述的照度传感装置,其特征为所述的光电转换装置(J1)为并联状态的至少两组。
3.如权利要求1所述的照度传感装置,其特征为所述的第二储能装置(C2)为并联的至少两组电容型结构。
4.如权利要求1所述的照度传感装置,其特征为所述的第二储能装置(C2)所在的并联电路中的开关单元(Q1)为MOSFET、PNP型三极管或NPN型三极管。
5.如权利要求1至7所述的照度传感装置,其特征为储能供电单元中的第一储能装置(C1)的容量为≥470uF,第二储能装置(C2)的容量≥0.33F。
6.如权利要求1至5之一所述的照度传感装置,其特征为所述的照度感应单元包括感测环境照度的光敏结构(D5)及其后的运算放大单元(U3),其输出端(AD_0)与所述的无线发射单元连接。
7.如权利要求6所述的照度传感装置,其特征为所述光敏结构(D5)的输入端连接有用于设置感测阈值的分压电阻选择结构。
8.如权利要求7所述的照度传感装置,其特征为所述的分压电阻选择结构为拨由档位开关(S1)调节的电阻结构或连续可调的滑动电阻结构。
9.如权利要求6所述的照度传感装置,其特征为照度感应单元的输出端与无线发射单元中的带有发射天线的无线发射芯片(U7)对应的输入端口连接。
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