[发明专利]一种高导电率低锡青铜带的制备方法

权利要求书

1.一种高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)按照如下质量分数配制原料：锡1.5～7.0％，磷0.08～0.25％，镍0.10～0.25％，余量为铜和包括质量分数小于0.1％铁的杂质，所述杂质的质量分数小于0.15％；在熔化炉中将配好的原料熔化，熔化炉内原料温度为1180～1240℃；

(2)利用所述原料进行熔铸，熔铸温度为1140～1200℃，得到青铜带卷坯；

(3)对所述青铜带卷坯进行铣面，然后进行粗轧开坯，得到青铜带卷；

(4)对所述青铜带卷中间退火，退火温度为520～630℃，保温4.5～6小时，然后依次进行酸洗、中轧、低温热处理、表面清洗钝化、最后拉弯矫直后得到高导电率低锡青铜带成品。

2.根据权利要求1所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的原料的质量分数为：锡2.0～3.0％，磷0.1～0.2％，镍0.15～0.20％，余量为铜和包括质量分数小于0.1％铁的杂质。

3.根据权利要求1或2所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)、步骤(2)之间还包括步骤(20)：

将步骤(1)得到的原料搅拌、捞渣、取样分析并调整成分，成分符合要求后将其转入保温炉内，所述保温炉内原料的温度为1140～1200℃。

4.根据权利要求3所述的高导电率低锡青铜带的制备工艺，其特征在于，所述步骤(20)中的取样分析采用可逐层分析的直读光谱分析仪进行分析。

5.根据权利要求1所述的高导电率低锡青铜带的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的熔铸工艺采用水平连铸，其工艺参数为拉12.8～14.8mm、停2.5～3.2s、反推1.6～3.2mm，铸造速度为160～190mm/min，青铜带卷坯出口温度380～450℃。

6.根据权利要求1或5所述的高导电率低锡青铜带的制备工艺，其特征在于，所述步骤(2)得到的青铜带卷坯厚度为14.0～16.5mm，所述步骤(3)得到的青铜带卷厚度为5.6～9.2mm，所述步骤(4)得到的青铜带成品厚度为0.06～1.2mm。