[发明专利]一种可快速处理数据的原子层沉积设备

说明书

技术领域

 本发明涉及一种半导体工艺设备，具体涉及一种可快速处理数据的原子层沉积设备。

背景技术

传统的原子层沉积设备包括真空部件、加热部件、气路部件 、等离子体产生部件和控制部件，控制部件与其它各部件之间相互连接，实现数据指令的发送接收。然而，原子层沉积设备的控制部件多采用计算机实现，计算机需要和各个部件直接联系，按照各部件的输入输出接口提供适配器，然后根据一定的通信协议完成数据指令的交互，如图1所示。

但是，现有原子层沉积设备的控制结构采用多个数据传输接口和器件，计算机需要协调和调度多个控制器件，可能会导致控制指令不能实时完成，从而影响原子层沉积设备的薄层沉积效果。另外，在原子层沉积设备运行过程中，需要不断地获取和分析各部件的数据，而薄膜（或薄层）的沉积生长要求原子层沉积设备的处理速度尽可能快，否则无法得到期望的薄膜（或薄层），由于现有原子层沉积设备采用计算机接口直接通信控制，计算机接收数据、分析处理数据和发送指令数据的速度与薄膜（或薄层）的沉积生长所要求的处理速度存在一定差距，而且随着薄层的厚度不断减小，原子层沉积设备结构的不断复杂，这个差距会越来越大，最终导致原子层沉积设备失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可快速处理数据的原子层沉积设备，提高了原子层沉积设备的处理速度，增强了设备的控制能力，有效减少设备故障。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案为：

一种可快速处理数据的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和计算机；所述计算机包括控制单元，与所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件连接，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件进行控制操作；以及，数据处理单元，与所述控制单元连接，用于对所述真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件发送到所述控制单元的数据进行处理。

上述方案中，所述控制单元为计算机的CPU，所述数据处理单元为计算机的GPU。

上述方案中，所述加热部件中的温控器通过RS232串口与所述计算机连接。

上述方案中，所述真空部件中的压力传感器和真空计分别通过RS232和RS485串口与所述计算机连接。

上述方案中，所述计算机和所述真空部件中的电压电流放大模块连接，所述电压电流放大模块和继电器连接，所述继电器下端为泵组电源。

上述方案中，所述计算机与所述等离子体产生部件中的射频电源连接。

上述方案中，所述计算机与所述气路部件中的质量流量控制器以及各个电磁阀相连。

与现有技术方案相比，本发明采用的技术方案产生的有益效果如下：

本发明通过采用CPU和GPU的控制结构，提高了原子层沉积设备的处理速度，增强了设备的控制能力，有效减少设备故障，整个设备结构简洁清晰，各个部件之间的关系简单，便于组装、生产和维护。

附图说明

图1为现有技术中原子层沉积设备的原理框图；

图2为本发明实施例提供的原子层沉积设备的原理框图；

图3为本发明实施例提供的原子层沉积设备的结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明技术方案进行详细描述。

如图2所示，本发明实施例提供一种可快速处理数据的原子层沉积设备，包括真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件和计算机25；计算机25包括控制单元，由计算机的CPU承担，与真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件连接，用于对真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件进行控制操作；以及，数据处理单元，由计算机的GPU承担，与控制单元连接，用于对真空部件、加热部件、气路部件和等离子体产生部件发送到CPU的数据进行处理。

CPU作为原子层沉积设备中的控制中枢，对原子层沉积设备的真空部件、加热部件、气路部件、等离子体产生部件进行控制操作，控制设备各个部件之间的信息交流，是整个设备的调度控制中心，负责设备中指令分析和发送、接收和处理其它部件的请求，实现控制功能，保证设备良好运行。