[发明专利]固态摄像器件及其制造方法和电子装置有效
申请号: | 201110300013.7 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN102446934A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 柳田刚志;尾崎裕司;岩渊信;荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 摄像 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种固态摄像器件,其包括:
基板,在所述基板中形成有多个像素,所述像素包括光电转换器;
布线层,其包括多层的布线,所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧;
基电极焊盘部,其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分;
开口,其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部;以及
埋入电极焊盘层,其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。
2.如权利要求1所述的固态摄像器件,其中,所述埋入电极焊盘层的至少顶部表面包括由化学镀膜法形成的包括Au或Ag的金属材料层。
3.如权利要求2所述的固态摄像器件,其中,所述埋入电极焊盘层包括由化学镀膜法形成的包括Ni的金属材料层。
4.如权利要求3所述的固态摄像器件,其中,所述埋入电极焊盘层从所述基电极焊盘部一侧起依次包括Ni层、Pd层及Au层。
5.一种固态摄像器件的制造方法,其包括:
在基板中形成多个像素,所述像素包括光电转换器;
经由层间绝缘膜在所述基板的前表面侧形成布线层,所述布线层包括多个布线;
在所述基板的后表面侧形成基板保护膜;
形成开口,所述开口从所述基板的所述后表面侧起贯穿所述基板并到达基电极焊盘部,所述基电极焊盘部包括所述布线层中的所述布线的一部分;以及
通过化学镀膜法在所述开口中形成埋入电极焊盘层。
6.如权利要求5所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:
通过化学镀膜法由包括Au或Ag的金属材料层形成所述埋入电极焊盘层的至少顶部表面。
7.如权利要求6所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:
在形成所述埋入电极焊盘层之后,在所述基板的所述后表面侧形成片上透镜。
8.如权利要求5-7中任一权利要求所述的固态摄像器件的制造方法,其还包括:
形成从所述基电极焊盘部一侧起依次包括Ni层、Pd层和Au层的所述埋入电极焊盘层。
9.一种电子装置,其包括:
光学透镜;
如前述权利要求1-4所述的固态摄像器件,在所述光学透镜中聚集的光入射到所述固态摄像器件中;以及
信号处理电路,其对输出自所述固态摄像器件的输出信号进行处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的