[发明专利]固态发光半导体结构及其外延层成长方法

权利要求书

1.一种固态发光半导体结构的外延层成长方法，包括：

提供一基板；

形成多个彼此互相间隔的凸出物于该基板上；

形成一缓冲层于该些凸出物上，并填满或部分填满该些凸出物彼此间的间隙；以及

形成一半导体外延堆叠层于该缓冲层上，该半导体外延堆叠层包括依序形成的一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。

2.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该些凸出物的形成方法是利用光刻及蚀刻方式形成。

3.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该缓冲层是以化学气相沉积法形成。

4.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该些凸出物是纳米柱结构，每一该纳米柱结构的高度介于10纳米至10,000纳米之间。

5.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中两相邻的该多个凸出物的顶端间相距为10纳米至1000纳米之间。

6.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该缓冲层的材质是选自氮化铝或氮化镓铝所构成的族群。

7.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该半导体外延层的材质是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。

8.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该些凸出物的材质包括硅，该基板的材质包括硅。

9.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。

10.如权利要求1所述的外延层成长方法，其中该有源层包括有多个量子阱层。

11.如权利要求1～10其中任一项所述的外延层成长方法，其中还包括形成一未掺杂杂质氮化物外延层于该缓冲层与该第一型半导体层之间，且该未掺杂杂质氮化物外延层是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。

12.一种固态发光半导体结构，包括：

基板；

多个凸出物，彼此互相间隔地设于该基板上；

缓冲层，位于该些凸出物上并填满或部分填满该些凸出物彼此间的间隙；以及

半导体外延堆叠层，位于该缓冲层上，其中该半导体外延堆叠层依序包括一第一型半导体层、一有源层以及一第二型半导体层。

13.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该些凸出物是纳米柱结构，每一该纳米柱结构的高度介于10纳米至10,000纳米之间。

14.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中两相邻的该多个凸出物的顶端间相距为10纳米至1000纳米之间。

15.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该缓冲层的材质是选自氮化铝或氮化镓铝所构成的族群。

16.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该半导体外延堆叠层的材质是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。

17.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该些凸出物与该基材的材质包括硅。

18.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该第一型半导体层为N型半导体层，该第二型半导体层为P型半导体层。

19.如权利要求12所述的固态发光半导体结构，其中该有源层包括有多个量子阱层。

20.如权利要求12～19其中任一项所述的固态发光半导体结构，还包括一未掺杂杂质氮化物外延层于该缓冲层与该第一型半导体层之间，且该未掺杂杂质氮化物外延层是由周期表IIIA族元素的氮化物所构成。