[发明专利]闪存单元及其形成方法

权利要求书

1.一种闪存单元，包括：半导体衬底；位于半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括依次形成的隧穿氧化层、浮动栅极、隔离氧化层和控制栅极；位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的源、漏极；其特征在于，所述浮动栅极靠近漏极的一端的掺杂类型为p型，其他部分的掺杂类型为n型。

2.依据权利要求1的闪存单元，其特征在于，所述浮动栅极的p型掺杂端的掺杂浓度为1×10²⁰/cm³。

3.依据权利要求1的闪存单元，其特征在于，所述浮动栅极的p型掺杂端的宽度200～500埃。

4.一种闪存单元形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底表面形成栅极结构，所述栅极结构包括依次形成的隧穿氧化层、浮动栅极、隔离氧化层和控制栅极，其中，所述浮动栅极的一端的掺杂类型为p型，所述浮动栅极其余部分的掺杂类型是n型；

以所述浮动栅极和控制栅极为掩膜，对所述半导体衬底进行掺杂，在位于所述浮动栅极的p型掺杂端一侧的半导体衬底内形成漏极，在位于所述浮动栅极的另外一侧的半导体衬底内形成源极。

5.依据权利要求4所述的闪存单元形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：

在所述半导体衬底表面依次形成第一介质层、第一多晶硅层、第二介质层、第二多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层的掺杂类型为n型；

在所述第二多晶硅层表面形成第一掩膜层；

以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述第二多晶硅层，直至暴露第二介质层，形成控制栅极；

在所述控制栅极表面以及所述控制栅极一侧的第二介质层表面形成第二掩膜层；

以所述第二掩膜层为掩膜向第一多晶硅层注入p型离子，并进行退火处理，使所述p型离子向第一多晶硅层与控制栅极正对的部分扩散，扩散的宽度小于控制栅极的宽度；

在所述控制栅极表面形成第三掩膜层，并以所述第三掩膜层为掩膜依次刻蚀第二介质层、第一多晶硅层、第一介质层，直至暴露半导体衬底，形成所述栅极结构。

6.依据权利要求5所述的闪存单元形成方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。

7.依据权利要求5所述的闪存单元形成方法，其特征在于，所述p型离子的注入能量为2-10keV，注入剂量为1-5×10¹⁶/cm²。

8.依据权利要求5所述的闪存单元形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度是900-1200摄氏度。

9.依据权利要求5所述的闪存单元形成方法，其特征在于，所述退火处理在氨气环境下进行。