[发明专利]硅的干法刻蚀方法

权利要求书

1.一种硅的干法刻蚀方法，其特征在于，在去除自然氧化层之后，且在刻蚀硅之前，进行干法刻蚀。

2.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述进行干法刻蚀的刻蚀气体包括Cl₂和O₂。

3.如权利要求2所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述Cl₂的流量速率范围包括60sccm～150sccm；所述O₂的流量速率范围包括5sccm～20sccm。

4.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀气压范围包括4毫托～15毫托；源射频功率的范围包括200W～500W；偏置射频功率的范围包括100W～300W。

5.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述干法刻蚀的时间范围包括5s～10s。

6.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述去除自然氧化层采用干法刻蚀，刻蚀气体包括CF₄和CHF₃。

7.如权利要求6所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述去除自然氧化层的干法刻蚀的刻蚀气体还包括O₂。

8.如权利要求7所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述CF₄的流量速率范围包括15sccm～25sccm；CHF₃的流量速率范围包括35sccm～45sccm；O₂的流量速率范围包括45sccm～55sccm。

9.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述硅包括多晶硅；所述刻蚀硅采用干法刻蚀，刻蚀气体包括HBr和HeO₂。

10.如权利要求9所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述HBr的流量速率范围包括80sccm～150sccm；所述HeO₂的流量速率范围包括5sccm～15sccm。

11.如权利要求9所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀硅的干法刻蚀的刻蚀气压范围包括45毫托～80毫托；源射频功率的范围包括100W～300W；偏置射频功率的范围包括50W～200W。

12.如权利要求9所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀硅的干法刻蚀的时间范围包括25s～45s。

13.如权利要求1所述的硅的干法刻蚀方法，其特征在于，所述硅包括单晶硅或多晶硅。