[发明专利]内置光刻胶检测单元的退火装置、光刻胶的检测方法有效

专利信息
申请号: 201110300745.6 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN102354665A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 王硕;许忠义 申请(专利权)人: 上海宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;G01N21/45
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 内置 光刻 检测 单元 退火 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种内置光刻胶检测单元的退火装置,包括:

叉件,用于运输晶圆;

晶舟,所述叉件将晶圆运输至晶舟内;

退火单元,移动晶舟,使晶圆进入退火单元内;

其特征在于,还包括:

光刻胶检测单元,在进行退火之前,叉件将晶圆放入光刻胶检测单元内,进行光刻胶残留检测。

2.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。

3.如权利要求2所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述红外光谱仪包括:光源,发射单光束;干涉仪,接收光源出射的单光束,将所述单光束分光为第一光束、第二光束,并使所述第一光束和第二光束发生干涉,形成干涉光信号;样品室,承载样品,样品接收干涉仪入射的干涉光信号,干涉光信号经过反射后,形成反射光信号;检测器,接收从样品室出射的反射光信号,得到样品的检测光谱;分析单元,获取检测器测得的检测光谱,并将所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较,判断样品表面是否具有光刻胶。

4.如权利要求3所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述干涉仪包括:分光部件,接收光源出射的单光束,将所述单光束分光为第一光束、第二光束,反射所述第一光束,透射所述第二光束;固定反射镜,接收并反射由分光部件反射的第一光束;运动反射镜,接收并反射由分光部件透射的第二光束。

5.如权利要求4所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述分光部件为半透半反镜。

6.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,退火装置外具有晶圆盒,所述叉件先从晶圆盒中取出晶圆,并将晶圆放于光刻胶检测单元内。

7.如权利要求6所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离为6-7mm。

8.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述退火单元位于所述晶舟的上方。

9.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述退火单元为炉管。

10.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离为5-6mm。

11.如权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,所述叉件包括5-10个相互平行的子叉件。

12.如权利要求11所述的内置光刻胶检测单元的退火装置,其特征在于,相邻两个子叉件之间的距离可以调整,使所述相邻两个子叉件之间的距离与晶圆盒内相邻两个晶圆之间的距离或晶舟中相邻两个晶圆槽之间的距离相等。

13.一种采用权利要求1所述的内置光刻胶检测单元的退火装置的光刻胶的检测方法,包括:

存在一批晶圆,其中一部分所述晶圆表面残留有光刻胶;

其特征在于,还包括:

采用叉件夹取晶圆,将夹取的所述晶圆放入光刻胶检测单元内;

光刻胶检测单元对夹取的晶圆表面进行光刻胶残留检测;

采用叉件将经过光刻胶检测单元检测、表面没有光刻胶残留的晶圆放置到晶舟中;

将所述装有晶圆的晶舟放置到退火单元内,进行退火处理。

14.如权利要求13所述的光刻胶的检测方法,其特征在于,所述光刻胶检测单元采用的仪器为红外光谱仪。

15.如权利要求14所述的光刻胶的检测方法,其特征在于,所述红外光谱仪进行光刻胶残留检测的具体步骤包括:光源发射单光束;干涉仪接收光源出射的单光束,并将所述单光束分光为第一光束和第二光束,并使所述第一光束和第二光束发生干涉,形成干涉光信号;所述干涉光进入承载有样品的样品室,样品接收干涉仪入射的干涉光信号,干涉光信号经过反射后,形成反射光信号;检测器接收从样品室出射的反射光信号,得到样品的检测光谱;分析单元将所述检测光谱和单元内的光刻胶的特征光谱进行比较,判断样品表面是否具有光刻胶。

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