[发明专利]巨磁阻抗效应二维磁场传感器

权利要求书

1.一种巨磁阻抗二维磁场传感器，其特征在于，由基片1上两个正交的巨磁阻抗效应磁敏传感器2和3，以及集成电路信号处理模块4组成，磁敏传感器2和3分别测量平面磁场的两个磁场分量，集成电路信号处理模块4用于产生磁敏传感器的信号激励信号以及采集其对外磁场的相应信号进行处理和合成；

2.如权利1所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，传感器由软磁非晶薄带5、信号采集线管线圈6，以及绝缘填充材料7，导线8，信号采集电极9组成；

3.如权利1所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，非晶薄带5中通过高频交流信号或者脉冲信号，当有外磁场作用时，通过测量信号采集线圈6两端感应信号的变化来测量外磁场的强度；

4.如权利1所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，高频交流信号频率为0.1-100MHz，脉冲信号脉宽为0.1ns；

5.如权利3所述的软磁非晶薄带4的各向异性场为沿着线条的宽度方向；

6.如权利3所述的软磁非晶薄带4为Fe基非晶材料如FeSiBNbCu或Co基非晶合金材料如CoFeSiB材料。

7.如权利3所述的软磁非晶薄带材料4形状为直线长条状、曲折多匝形状等；

8.如权利3所述的软磁非晶薄带4的磁场最大灵敏度方向为沿着线条长度方向；

9.如权利1所述的基片可以为玻璃、表面氧化的硅片，陶瓷片等材料；

10.如权利2所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，其填充材料为聚酰亚胺9，信号采集线圈材料6为Cu。

11.如权利1所述的巨磁阻抗效应磁场传感器2和3，其特征在于，传感器制备工艺为微机电系统MEMS技术，其制造工艺如下

a在基片上溅射一层Cr/Cu种子层

b以光刻胶作为铸模，电镀Cu来形成底层线圈

c以光刻胶为铸模，电镀中间Cu柱，去种子层

d旋涂聚酰亚胺胶体，高温固化

e机械磨片结合反应离子刻蚀技术使得Cu柱漏出

f采用环氧树脂胶粘帖非晶薄带，以光刻胶作为掩模材料，湿法腐蚀薄带，得到磁芯

g溅射种子层，并电镀Cu柱子，去种子层

h旋涂聚酰亚胺，固化，机械磨片结合反应离子刻蚀使得Cu柱漏出

i溅射种子层，以光刻胶作为铸模，电镀上层线圈

12.如权利1所述的非晶薄带材料，其特征在于磁场各向异性为采用磁场退火在300-400度来实现。