[发明专利]对于金属薄膜的CVD/ALD有用的锑及锗复合物

权利要求书

1.一种用于在基板上沉积锗锑碲材料的气相沉积方法，包括：挥发包含二(正丁基，N，N-二异丙基脒)锗的锗前体以形成含锗前体蒸汽；挥发有机锑前体以形成含锑前体蒸汽；和挥发有机碲前体以形成含碲前体蒸汽；以及使所述含锗前体蒸汽、含锑前体蒸汽和含碲前体蒸汽在有效用于沉积的条件下与所述基板接触，从而将所述锗锑碲材料沉积在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机碲前体包括二烷基或二酰胺基碲前体。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机碲前体包括二叔丁基碲。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机锑前体包括三烷基锑化合物或三酰胺基锑化合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机锑前体包括三-二烷酰胺基锑化合物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机锑前体包括三(二甲氨基)锑。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述接触条件包括300℃至450℃的温度。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述接触条件中的压力包括0.5托至15大气压的压力。 

9.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括在所述接触步骤中使用载气。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括在所述接触步骤中使用还原性共反应物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述还原性共反应物选自由氢、氢等离子体、烷烃、烯烃、脒、胍、硼烷以及它们的加合物和衍生物、炔烃、烷基胺、硅烷、甲硅烷基硫属化物、锗烷、氨、胺、亚胺和肼所组成的组。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述还原性共反应物选自由氢、氢等离子体和氨组成的组。

13.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括将所述锗锑碲材料化学气相沉积在所述基板上。

14.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，包括将所述平滑的非晶态锗锑碲材料原子层沉积在所述基板上。

15.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述基板包括微电子器件基板。

16.根据权利要求15所述的方法，包括在所述微电子器件基板上形成相变存储单元。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述锗锑碲材料沉积在所述微电子器件基板上的通孔中。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述通孔在低k介电材料中。 

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述通孔在氧化硅材料中。

20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述通孔在氮化硅材料中。

21.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述接触条件包括低于300℃的温度。

22.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述锗锑碲材料包含碳。

23.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，锗沉积在所述基板上的通孔或沟道中。

24.一种通过权利要求1-6中任一项所述的方法形成的锗锑碲薄膜。

25.一种相变存储设备，包括权利要求24所述的锗锑碲薄膜。

26.一种制造相变存储设备的方法，包括权利要求1所述的方法。

27.一种通过以下方法形成的锗锑碲合金，所述方法包括气相沉积来自包含二(正丁基，N，N-二异丙基脒)锗的锗前体的锗。

28.一种前体溶液，包含二(正丁基，N，N-二异丙基脒)锗及用于其的溶剂。

29.根据权利要求28所述的前体溶液，其中，所述溶剂选自由烷烃溶剂、芳族溶剂、胺、亚胺、胍、脒和肼组成的组。 

30.根据权利要求28所述的前体溶液，其中，所述溶剂选自由己烷、庚烷、辛烷、戊烷、苯、甲苯、三乙胺和叔丁胺组成的组。