[发明专利]一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法有效

专利信息
申请号: 201110301258.1 申请日: 2011-09-28
公开(公告)号: CN102352482A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 马步洋;任海棠 申请(专利权)人: 江苏美特林科特殊合金有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/14
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 211153 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 电阻 ni cr si 溅射 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法,其特征在于包括以下步骤:

1)配料:按比例称取原料电解Ni、金属Cr和金属Si;原料纯度在99.8%以上,合金成分wt%为:Ni:40~57%,Cr:40~57%,Si:3~10%;

2)铸造模型的加热:将真空感应炉内的加热炉加热至1000℃~1100℃,再将铸造模型放入其内加热至在800~1000℃并保温,待浇注时使用;

3)熔炼、精密铸造铸锭:将称好的原料放入真空感应熔炼炉中,进行冶炼,精炼10~15分钟,当合金熔融液体温度达到液相线以上50~150℃时进行浇注;

4)铸锭冷却:浇注完成后取出铸锭埋入氧化物陶瓷细砂中缓慢冷却,待冷却至室温时取出铸锭进行机加工;

5)机加工:将冷却至室温的合金板坯按尺寸要求进行机加工成符合尺寸精度的溅射靶材。

2.根据权利要求1所述一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法,其特征在于:所述步骤2)中加热炉为电阻炉。

3.根据权利要求1所述一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法,其特征在于:所述步骤2)中所述铸造模型为侧面浇注系统的精密铸造陶瓷模型。

4.根据权利要求1所述一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法,其特征在于:所述步骤3)中将称好的原料放入真空感应熔炼炉的氧化镁坩埚中,进行冶炼。

5.根据权利要求1所述一种金属电阻膜用Ni-Cr-Si溅射靶材的制造方法,其特征在于:所述步骤4)中所述氧化物陶瓷细砂优选为氧化硅细砂。

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