[发明专利]闪存单元结构及其制作方法

权利要求书

1.一种闪存单元结构，包括半导体基层和依次层叠在所述半导体基层上的隧穿氧化层、浮栅、绝缘介质层和控制栅，其特征在于，所述浮栅的侧壁表面植入有阻挡离子层。

2.根据权利要求1所述的闪存单元结构，其特征在于，所述浮栅具有浮栅保持载流子的状态，所述浮栅的侧壁表面的阻挡离子层的离子与所述浮栅保持的载流子电荷类型相反。

3.根据权利要求2所述的闪存单元结构，其特征在于，所述浮栅中部保持的载流子为电子，所述阻挡离子层的离子为三价元素的离子。

4.根据权利要求3所述的闪存单元结构，其特征在于，所述阻挡离子层的离子为硼离子。

5.一种权利要求1所述的闪存单元结构的制作方法，包括以下步骤：

在半导体基层形成依序层叠的隧穿氧化层和浮栅；

在所述浮栅上形成依序层叠的绝缘介质层和控制栅；

向所述浮栅的侧壁植入阻挡离子，形成所述浮栅的侧壁表面的阻挡离子层。

6.根据权利要求5所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，所述浮栅的侧壁植入的阻挡离子采用离子注入法植入。

7.根据权利要求5所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，在所述闪存单元结构的浮栅形成之后，沉积一层包含阻挡离子的材料层覆盖所述浮栅，所述阻挡离子从所述材料中扩散植入所述浮栅侧壁。

8.根据权利要求7所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，所述阻挡离子为硼离子，所述包含阻挡离子的材料为含硼氧化硅。

9.根据权利要求8所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，所述含硼氧化硅采用化学气相法沉积，所述硼离子通过快速退火从含硼氧化硅扩散至所述浮栅侧壁。

10.根据权利要求9所述的闪存单元结构的制作方法，其特征在于，所述快速退火后的含硼氧化硅采用湿法去除。