[发明专利]Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法

权利要求书

1.Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备方法，其特征在于：所说的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w，式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z+u+v+w＝100，x＝9.0～14.0，y＝45.0～70.5，z＝2.8～18.4，u＝1.1～7.0，v＝3.8～19.0，w＝1.0～21.2，Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1～4种元素组成，其中每种元素占组成式Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w总量的相对含量以原子百分比计为：2.0～4.7％Nb，2.0～5.7％Al，4.0～14.0％Si，0.8～4.0％Cu，1.0～10.1％C，薄带的厚度为19μm～78μm，主晶相的平均晶粒尺寸是10nm～58nm，采用熔体离心快淬甩带技术，具体步骤选用下述两种工艺中的任意一种：

第一种工艺，采用真空电弧熔炼炉或真空感应熔炼炉

第一步，原料配制

按照原料配比Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w，式中限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z+u+v+w＝100，x＝9.0～14.0，y＝45.0～70.5，z＝2.8～18.4，u＝11～7.0，v＝3.8～19.0，w＝1.0～21.2，Q是由Nb、Al、Si、Cu和C中的1～4种元素组成，其中每种元素占组成式Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w总量的相对含量以原子百分比计为：2.0～4.7％Nb，2.0～5.7％Al，4.0～14.0％Si，0.8～4.0％Cu，1.0～10.1％C，称取上述Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w式中所涉及到的原料：纯Sm、纯Co、纯Fe、纯Zr、B-Fe合金、纯Nb、纯Al，纯Si、纯Cu及纯石墨C粉，由此完成原料配制；

第二步，熔化原料制备母合金铸锭

将第一步配制好的原料全部放入真空电弧熔炼炉或真空感应熔炼炉坩埚中，熔炼时先对炉体抽真空度到10-2Pa～10-3Pa，炉温升至高于原料金属Zr的熔点，直至全部可熔化的原料熔炼均匀并使全部原料形成均匀分布，然后倒入模具中冷却，即制得Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w母合金铸锭；

第三步，Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备

将第二步制得的Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w母合金铸锭装入熔体快淬炉中，重新熔融后在以5m·s^-1～50m·s^-1的圆周速度旋转的冷却钼辊轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体；

第二种工艺，采用真空熔炼快淬连续炉

第一步，原料配制

同第一种工艺的第一步；

第二步，Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的制备

将第一步配制好的原料全部放入真空熔炼快淬连续炉的坩埚中，熔炼时先对炉体抽真空度到10^-2Pa～10^-3Pa，炉温升至高于原料金属Zr的熔点，直至全部可熔化的原料熔炼均匀并使全部原料形成均匀分布，然后直接在以5m·s^-1～50m·s^-1的圆周速度旋转的冷却钼锟轮或铜辊轮上进行熔体快淬，由此制得Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体。

由上述两种工艺制得的Sm-Co基非晶纳米晶薄带磁体的元素组成式为Sm_xCo_yFe_zZr_uB_vQ_w、薄带厚度为19μm～78μm和主晶相的平均晶粒尺寸是10nm～58nm。