[发明专利]功能性薄膜及功能性薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种功能性薄膜，其特征在于，

具有由有机材料形成的表面的基板与在所述基板上形成的无机膜的界面处的碳及无机膜的构成元素中至少一种的原子％为5％以上的区域的厚度为3～15nm。

2.根据权利要求1所述的功能性薄膜，其中，

所述无机膜是以硅的氧化物、硅的氮化物、硅的氧氮化物、硅的氧氮碳化物中的任一种为主要成分的膜。

3.一种功能性薄膜的制造方法，利用成膜机构并通过等离子体CVD在基板上制膜形成无机膜，该成膜机构将具有由有机材料形成的表面的长条的所述基板沿长度方向输送，并具有以夹着输送的所述基板的方式配置的电极对，所述功能性薄膜的制造方法的特征在于，

在所述电极对之间，使所述基板的输送方向的最上游位置处的等离子体电子密度比最下游位置处的等离子体电子密度低。

4.根据权利要求3所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

使制膜形成所述无机膜时的等离子体电子密度在所述基板的输送方向的最上游位置最低，在最下游位置最高。

5.根据权利要求3或4所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

所述基板的输送方向的最上游位置处的所述电极对之间的距离比最下游位置处的所述电极对之间的距离大。

6.根据权利要求5所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

具有所述电极对之间的距离随着从最上游位置朝向下游侧逐渐减小的区域。

7.根据权利要求5所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

具有所述电极对之间的距离在所述基板的输送方向的下游侧形成为恒定的区域。

8.根据权利要求5所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

在所述基板的输送方向上，从所述输送方向的最上游位置到所述电极对之间的距离成为最小的位置的长度是所述电极对的所述输送方向的长度的10～40％。

9.根据权利要求5所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

所述输送方向的最上游位置处的所述电极对之间的距离是所述输送方向的最下游位置的所述电极对之间的距离的1.1～1.5倍。

10.根据权利要求3或4所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

从所述基板的输送方向的最上游位置到所述等离子体电子密度最高的位置为止制膜形成的所述无机膜的厚度为2～10nm。

11.根据权利要求3或4所述的功能性薄膜的制造方法，其中，

将所述基板卷挂在圆筒状的卷筒的周面的规定区域而进行输送，使用所述卷筒作为所述成膜机构的所述电极对的一方。