[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储元件组及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储元件组，其包括：

(A)第一绝缘层；

(B)第二绝缘层，其具有第一凹部以及与所述第一凹部连通的第二凹部，所述第二凹部的宽度大于所述第一凹部的宽度，并且所述第二绝缘层布置于所述第一绝缘层上；

(C)多个电极，它们布置于所述第一绝缘层中，并且所述多个电极的顶面从所述第一凹部的底面露出；

(D)信息存储层，其形成于所述第一凹部和所述第二凹部的侧壁和底面上；以及

(E)导电材料层，其填充在由所述第二凹部中的所述信息存储层围成的空间中。

2.如权利要求1所述的非易失性存储元件组，其中，所述电极的数目为N，由所述电极、所述信息存储层以及所述导电材料层形成非易失性存储元件，并且所述非易失性存储元件组包括N个所述非易失性存储元件。

3.如权利要求1所述的非易失性存储元件组，其中，在整个表面上形成有第三绝缘层，并且，在所述第三绝缘层上形成有经由接触插头而连接于所述导电材料层的布线。

4.如权利要求1所述的非易失性存储元件组，其中，在所述第二绝缘层中布置有使相邻的所述非易失性存储元件组的所述第二凹部彼此连接的凹部连接部，

在所述凹部连接部的侧壁和底面上形成有信息存储层延伸部，

在由所述凹部连接部中的所述信息存储层延伸部围成的空间中填有导电材料层延伸部，并且

由填充在所述第二凹部中的所述导电材料层和填充在所述凹部连接部中的所述导电材料层延伸部构成布线。

5.一种非易失性存储元件组，其包括：

(A)第一绝缘层；

(B)第二绝缘层，其具有凹部并布置于所述第一绝缘层上；

(C)多个电极，它们布置于所述第一绝缘层上，并且所述多个电极的顶面从所述凹部的底面露出；

(D)信息存储层，其形成于所述凹部的侧壁和底面上；以及

(E)由导电材料层形成的布线，所述导电材料层填充在由所述凹部中的所述信息存储层围成的空间中。

6.如权利要求5所述的非易失性存储元件组，其中，所述电极的数目为N，由所述电极、所述信息存储层以及所述布线形成非易失性存储元件，并且所述非易失性存储元件组包括N个所述非易失性存储元件。

7.如权利要求1至6中任一项所述的非易失性存储元件组，其中，所述信息存储层包括通过电阻的变化来存储信息的电阻变化层。

8.如权利要求7所述的非易失性存储元件组，其中，所述电阻变化层为具有高电阻层和离子源层的层叠结构。

9.如权利要求8所述的非易失性存储元件组，其中，所述离子源层包含选自碲、硫和硒中的至少一种元素以及选自铜、锆和铝中的至少一种元素，并且通过当向存储元件施加预定电压时使所述选自铜、锆和铝中的至少一种元素扩散至所述高电阻层中，从而使所述高电阻层的电阻降低。

10.一种非易失性存储元件，其包括：

(A)第一绝缘层；

(B)第二绝缘层，其具有凹部并布置于所述第一绝缘层上；

(C)电极，其布置于所述第一绝缘层中，并且所述电极的顶面从所述凹部的底面露出；

(D)信息存储层，其形成于所述凹部的侧壁和底面上；以及

(E)导电材料层，其填充在由所述凹部中的所述信息存储层围成的空间中。

11.如权利要求10所述的非易失性存储元件，其中，所述信息存储层包括通过电阻的变化来存储信息的电阻变化层。

12.如权利要求11所述的非易失性存储元件，其中，所述电阻变化层为具有高电阻层和离子源层的层叠结构。