[发明专利]采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法

权利要求书

1.一种采用改进流延成型工艺成型反应烧结碳化硅陶瓷的方法，其特征在于包括如下步骤：

1)用流延成型法制备不同C/SiC比、孔径均匀分布的多孔含碳素坯；

2)将上述所得到的多孔含碳素坯脱粘后真空浸渍在酚醛树脂的有机溶液中；

3)浸渍完全后，将含酚醛树脂溶液的含碳多孔素坯表面多余酚醛溶液用滤纸吸干；

4)素坯在表面多余酚醛溶液吸干后，放置到干燥箱中干燥使酚醛树脂固化；

5)将干燥后的素坯在真空条件下升温使酚醛裂解成无定形碳；

6)将得到的含碳素坯放置在硅片上，真空条件下反应渗硅，反应温度在1420-1550℃之间。

2.按权利要求1所述的方法，其特征在于：

a)步骤1)所述C/SiC比例为1∶10-10∶1；

b)步骤2)所述的酚醛树脂包括苯酚甲醛树脂、聚乙烯醇缩醛改性酚醛树脂、聚酰胺改性酚醛树脂、环氧改性酚醛树脂和有机硅改性树脂中的一种；

c)步骤2)所述酚醛树脂溶液中溶剂为乙醇、异丙醇、正丁醇、正辛醇、丙酮、丁酮、甲苯、二甲苯、正己烷、环己烷有机溶剂中的任意一种；

d)步骤2)所述酚醛树脂的有机溶液浓度为5wt％-70wt％；

e)步骤2)所述真空浸渍的真空度低于0.1MPa；真空抽气时间为2-30分钟；

f)步骤4)所述干燥温度为50℃-170℃之间，干燥时间为2-72小时；

g)步骤5)所述酚醛裂解温度为700℃-1200℃，升温速率小于10℃/分钟；裂解保温时间10-300分钟；

h)步骤6)所述的反应渗硅在碳管炉中完成，真空度为1-20Pa之间。

3.按权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

a)步骤1)中C/SiC的质量比介于(1.4-7)∶1；

b)步骤2)中酚醛树脂的有机溶液的浓度为10wt％-60wt％；

c)步骤4)中干燥温度为70-160℃；干燥时间为2-24小时；

d)步骤5)中裂解温度为800-1000℃；

e)步骤5)中裂解保温时间为10-120分钟。

4.按权利要求1所述的方法，其特征在于步骤2)到步骤5)中所述工艺为一个周期，该周期可进行一次，也可重复多次。