[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110302761.9 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102468336A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 片山雅也;浅野正义 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;郑特强 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的半导体衬底；
第二导电类型的第一区，形成在所述半导体衬底中；
第一导电类型的第二区，形成在所述第一区中；
环形栅电极，形成在所述第二区和所述第一区的结上方并沿着所述结形成；以及
所述第二导电类型的漏极区和源极区，分别形成在所述第一区和所述第二区中，所述漏极区和所述源极区之间具有部分所述栅电极。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述栅电极包括：在所述结外侧的所述第一区上方的外部以及在所述结内侧的所述第二区上方的内部；以及
在所述漏极区和所述源极区之间的栅电极部分的所述外部的第一宽度窄于或等于另一栅电极部分的所述外部的第二宽度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏极区形成为离开所述第一区中的栅电极。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
隔离区，形成在所述半导体衬底中，其中，所述隔离区包括开口区，所述开口区包括所述漏极区、所述源极区以及在所述漏极区和所述源极区之间的所述第一区和所述第二区。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述开口区包括：
第一开口部，包括所述漏极区；以及
第二开口部，包括所述源极区，以及在所述漏极区和所述源极区之间的所述第一区和所述第二区。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
绝缘膜，形成在所述半导体衬底上方以覆盖所述栅电极；以及
接触电极，形成在所述绝缘膜中并且连接到除了在所述漏极区和所述源极区之间的栅电极部分之外的栅电极部分。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
在所述栅电极内所述第二区中的所述第一导电类型的分接区。
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