[发明专利]近场针尖增强光致电离离子源

权利要求书

1.近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于设有光源、针尖、固体样品和离子采样装置；所述光源发出的光束经针尖后照射在固体样品表面上，离子采样装置的采样孔与固体样品表面的距离为0.1～50mm，离子采样装置输出端接质谱仪的质量分析器，由质谱仪的质量分析器获得含有所测固体样品信息的谱图。

2.如权利要求1所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述光源采用连续光源或脉冲光源。

3.如权利要求2所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述连续光源的光束波长为157～1100nm，平均功率＞0.1mW，光束直径为0.1～10mm。

4.如权利要求2所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述脉冲光源的光束波长为157～1100nm，脉宽为10fs～1ms，脉冲能量为1μJ～500mJ，脉冲频率为0.1Hz～100MHz，光束直径为0.1～10mm。

5.如权利要求1所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述针尖为任意的导体针尖或半导体针尖。

6.如权利要求5所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述针尖尖端直径为1nm～1μm，针尖与固体样品表面的距离为0.1nm～10μm。

7.如权利要求1所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述离子采样装置采用圆筒，中心开孔的采样锥，或中心开孔的金属平板，所述中心开孔的孔径为0.1～30mm。

8.如权利要求1或7所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述离子采样装置的采样孔轴线与固体样品表面垂直线的夹角为0°～89°。

9.如权利要求1所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述针尖与固体样品表面的夹角范围为1°～179°。

10.如权利要求1所述的近场针尖增强光致电离离子源，其特征在于所述光源的光束与所述针尖的夹角范围为1°～179°。