[发明专利]温度测量方法

权利要求书

1.一种温度测量方法，其特征在于，

该温度测量方法包括以下工序：

将来自光源的光传送到在基板上形成有薄膜的测量对象物的测量点；

对由上述基板的表面的反射光构成的第1干涉波、由上述基板与上述薄膜之间的界面的反射光、上述薄膜的背面的反射光构成的第2干涉波进行测量；

对从上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路长度进行计算；

根据上述第2干涉波的强度对上述薄膜的膜厚进行计算；

根据上述计算出来的上述薄膜的膜厚对上述基板的光路长度与上述计算出来的光路长度之间的光路差进行计算；

根据上述计算出来的光路差对上述计算出来的从上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路长度进行校正；

利用上述被校正的光路长度对上述测量对象物的上述测量点处的温度进行计算。

2.根据权利要求1所述的温度测量方法，其特征在于，

根据上述薄膜的膜厚与上述第2干涉波的强度之间的关系对上述薄膜的膜厚进行计算。

3.根据权利要求1或2所述的温度测量方法，其特征在于，

根据上述第1干涉波的强度与上述第2干涉波的强度之比对上述薄膜的膜厚进行计算。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的温度测量方法，其特征在于，

上述光源产生波长为1000nm以上的光；

上述基板是硅基板。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的温度测量方法，其特征在于，

上述薄膜是氧化硅膜即SiO₂膜、氮化硅膜即Si₃N₄膜、抗蚀剂膜、树脂类膜或者金属膜中的任一种。