[发明专利]一种用于中高压变频器的散热装置

权利要求书

1.一种散热装置，适于对中高压变频器中的多个发热元件进行散热，其特征在于，所述散热装置包括：

一散热基板，具有一第一表面、一第二表面以及所述第一表面和第二表面间的内层，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一表面放置发热元件；

至少一组热管，每组热管包括多根热管，每根热管具有一蒸发段和一冷凝段，并且所述蒸发段埋入所述散热基板的内层，以吸收来自所述发热元件的热量；以及

多个散热片，设置于与所述每根热管相交，并且所述多个散热片与所述热管的冷凝段固定连接，从而将所述冷凝段释放的热量传递至空气中，

其中，所述至少一组热管与所述多个散热片的接触部呈三角形叉排排列。

2.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述每组热管中至少一热管还具有一弯折部，且所述弯折部位于所述蒸发段和所述冷凝段之间。

3.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述发热元件包括至少一第一发热元件和至少一第二发热元件，其中，所述至少一第一发热元件放置于所述第一表面，以及所述至少一第二发热元件放置于所述第二表面。

4.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，所述第一发热元件为一高频功率器件，以及所述第二发热元件为一低频功率器件，且所述第一发热元件和所述第二发热元件通过所述散热基板将高频线路与低频线路隔离。

5.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述发热元件包括绝缘栅双极型晶体管(IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor)、集成门极换流晶闸管(IGCT，Integrated Gate Commutated Thyristors)、注入增强栅晶体管(IEGT，Injection Enhanced Gate Transistor)或二极管(Diode)。

6.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，对应于所述发热元件的每组热管等距并列排布于所述散热基板内层。

7.根据权利要求3所述的散热装置，其特征在于，对应于所述发热元件的每组热管交错排布于所述散热基板的内层。

8.根据权利要求7所述的散热装置，其特征在于，所述至少一组热管包括一第一小组热管和一第二小组热管，且所述第一小组热管固定于所述散热基板的内层且靠近所述第一表面和所述第一发热元件的位置，以及所述第二小组热管固定于所述散热基板的内层且靠近所述第二表面和所述第二发热元件的位置。

9.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，不同组热管的冷凝段根据对应的发热元件的发热量及散热要求，设置为相同长度或不同长度。

10.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，埋入所述散热基板内层的各热管的蒸发段深度根据对应的发热元件的安装位置要求，设置为同一深度或不同深度。

11.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，不同组热管的蒸发段根据对应的发热元件的散热要求，设置为相同的热管管径或不同的热管管径。

12.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，对应于不同发热元件的热管数目根据其各自的散热要求而相应设置。

13.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述热管为一重力式热管、一丝网式热管、一烧结式热管或一沟槽式热管。

14.根据权利要求13所述的散热装置，其特征在于，所述热管内的工作液体为水、丙酮、液氨、乙醇或R134a制冷剂。

15.根据权利要求1所述的散热装置，其特征在于，所述多个散热片与所述每根热管相交，并且相交角度为90度。