[发明专利]一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法

权利要求书

1.一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)、将半导体纳米晶均匀分散在非极性有机溶剂中，形成半导体纳米晶溶液；

2)、在惰性气体中，将步骤1)中所述半导体纳米晶溶液滴覆于电化学工作站的工作电极(6)表面，在所述工作电极(6)表面形成半导体纳米晶薄膜；

3)、在惰性气体中，利用电化学工作站进行扫描，获得循环伏安曲线；

4)、从步骤3)中得到的循环伏安曲线中提取与氧化峰、还原峰值对应的电势值，将半导体纳米晶的氧化峰、还原峰值对应的电势值代入公式，计算出半导体纳米晶的LUMO值、HOMO值及禁带宽度，所述公式为：

E_HOMO＝-(E′_OX+X)

E_LUMO＝-(E′_red+X)

E_gCV＝E_HOMO-E_LUMO＝E′_OX-E′_red

其中，E_HOMO是半导体纳米晶的HOMO值，E_LUMO是半导体纳米晶的LUMO值，E_gCV是通过循环伏安法得到的能带宽度，E`<sub>OX</sub>是起始氧化势能，E`_red是起始还原势能，X为常数。

2.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述半导体纳米晶溶液的浓度大于0，且小于或者等于电化学工作站中电解液(1)浓度的1/10。

3.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述半导体纳米晶薄膜厚度为80微米～120微米。

4.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述电化学工作站的工作电极(6)为玻璃态碳电极、对电极(3)为铂丝、参比电极(5)为Ag/Ag⁺。

5.根据权利要求1或4所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述电化学工作站的电解池(2)连接有惰性气体储存容器(9)、调节阀(8)、惰性气体进口接管(7)和惰性气体出口接管(4)，所述工作电极(6)、对电极(3)和参比电极(5)各自顶端通过导线分别与参数输入及信号检测系统(16)连接，所述参数输入及信号检测系统(16)通过导线与检测结果输出系统(17)连接。

6.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述非极性有机溶剂为氯仿、甲苯或正己烷。

7.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，步骤4)中所述X值的确定方法如下：

a)、取中间体(11)，确定中间体(11)相对于真空能级(10)的能级值(18)，确定中间体(11)相对于参比电极电位(13)的电位值(19)；

b)、步骤a)中所述能级值(18)和电位值(19)之间的差值，即为X值。

8.根据权利要求1或2所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，诉述半导体纳米晶溶液的浓度为0.01M。

9.根据权利要求1所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述电化学工作站中电解液(1)由四丁基六氟磷酸胺和乙腈配置而成。

10.根据权利要求7所述的一种利用循环伏安法测定半导体纳米晶LUMO值与HOMO值的方法，其特征在于，所述中间体(11)为二茂铁离子对。