[发明专利]类金刚石膜及其制备方法

权利要求书

1.一种类金刚石膜，该类金刚石膜包括至少一碳数为2以上的碳化合物，该类金刚石膜所组成的原子中所含碳原子的比例为50％以上，且该类金刚石膜中原子之间的键结为饱和键结的比例为80％以上。

2.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜中原子之间的键结是选自由：碳原子与碳原子之间的键结、碳原子与氢原子之间的键结、及碳原子与卤素原子之间的键结所组成的群组。

3.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜是由一前趋物形成，该前趋物为一碳数为2以上的碳化合物，且其中原子之间的键结为饱和键结的比例为80％以上。

4.如权利要求3所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜是由一前趋物形成，该前趋物为一碳数为2以上的碳化合物，且其中原子之间的键结为饱和键结的比例为90％以上。

5.如权利要求3所述的类金刚石膜，其中，该前趋物是选自由：碳数为2以上的烷类、金刚烷、纳米钻石、微米钻石及其混合物所组成的群组。

6.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜包括一卤素的有机化合物或硅化合物。

7.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该卤素的有机化合物是选自由：氟的有机化合物、氯的有机化合物、溴的有机化合物、碘的有机化合物及其混合所组成的群组。

8.如权利要求7所述的类金刚石膜，其中，该氟的有机化合物为聚四氟乙烯。

9.如权利要求7所述的类金刚石膜，其中，该卤素原子或硅原子于该类金刚石膜中所占的原子比例为5％-30％。

10.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜的电阻率为104Ωcm以上。

11.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜的维氏硬度为900-4000kg/mm²。

12.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜的蓝光穿透率为80％以上。

13.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜是覆于一基材的表面。

14.如权利要求13所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜是用于使该基材的表面水-接触角上升。

15.如权利要求1所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜的厚度为10nm-10um。

16.如权利要求13所述的类金刚石膜，其中，该基材是选自由：一电路板、一发光二极管的外延层、一集成电路、一电极、一硬盘、一磁盘、一光盘、一玻璃基板、一金属基板、一模具、一液晶显示器面板、一陶瓷基板、一高分子基板以及一触控面板所组成的群组。

17.如权利要求13所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜为图案化的类金刚石膜。

18.如权利要求13所述的类金刚石膜，其中，该类金刚石膜与该基材之间包括一中间层。

19.如权利要求18所述的类金刚石膜，其中，该中间层是选自由：碳、氢、硅及其混合所组成的群组。

20.如权利要求19所述的类金刚石膜，其中，该硅原子于该中间层中所占的原子比例为5％-40％。

21.一种类金刚石膜的形成方法，该方法包括步骤：

A)提供一前趋物并将其导入至一真空腔体中，该前趋物包括至少一碳数为2以上的碳化合物，且该碳化合物中原子之间的键结为饱和键结的比例为80％以上；以及

B)使用该前趋物，以物理气相沉积或化学气相沉积的方式于一基材的表面形成该类金刚石膜。

22.如权利要求21所述的类金刚石膜的形成方法，其中，步骤A)中，该碳化合物中原子之间的键结为饱和键结的比例为90％以上。

23.如权利要求21所述的类金刚石膜的形成方法，其中，步骤A)中，该碳化合物中原子之间的键结是选自由：碳原子与碳原子之间的键结、碳原子与氢原子之间的键结、及碳原子与卤素原子之间的键结所组成的群组。

24.如权利要求21所述的类金刚石膜的形成方法，其中，步骤A)之前包括一步骤A0)：提供氢气，以该氢气处理该前趋物。