[发明专利]MEMS器件的形成方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有固定部件；

在所述基底上形成图形化的非晶碳层；

形成第一膜层，覆盖所述图形化的非晶碳层和基底，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；

图形化所述第一膜层形成可动部件；

去除所述图形化的非晶碳层。

2.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述基底上形成图形化的非晶碳层之前，在所述基底上形成第二膜层，所述第二膜层的材料为锗硅、锗或者硅，所述图形化的非晶碳层形成在所述第二膜层上。

3.如权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述图形化的非晶碳层之后，氧化所述第一膜层和第二膜层。

4.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一膜层的材料为锗硅时，所述形成第一膜层的方法为低压化学气相沉积，所述低压化学气相沉积的温度为250℃～550℃，通入的气体包括：SiH₄、GeH₄、BCl₃和He的混合气体，SiH₄∶GeH₄∶BCl₃和He的混合气体等于(282±84.6)∶(118±35.4)∶(100±30)，所述BCl₃和He的混合气体中，所述BCl₃的体积占混合气体的体积为(1.5±0.5)％。

5.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一膜层的材料为硅或锗时，所述形成第一膜层的方法为低温淀积工艺，所述低温沉积工艺的温度为200～500℃。

6.如权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二膜层的材料为锗硅时，所述形成第二膜层的方法为低压化学气相沉积，所述低压化学气相沉积的温度为250℃～550℃，通入的气体包括：SiH₄、GeH₄、BCl₃和He的混合气体，SiH₄∶GeH₄∶BCl₃和He的混合气体等于(282±84.6)∶(118±35.4)∶(100±30)，所述BCl₃和He的混合气体中，所述BCl₃的体积占混合气体的体积为(1.5±0.5)％。

7.如权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第二膜层的材料为硅或锗时，所述形成第二膜层的方法为低温淀积工艺，所述低温沉积工艺的温度为200～500℃。

8.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述形成图形化的非晶碳层的方法包括：形成非晶碳层，利用光刻、刻蚀工艺形成图形化的非晶碳层；所述形成非晶碳层的方法为等离子体增强化学气相沉积，所述等离子体增强化学气相沉积的温度为350℃～450℃，气压为1torr～20torr，RF功率为800W～1500W，反应气体包括：C₃H₆和He，反应气体流量为1000sccm～3000sccm，其中C₃H₆∶He为2∶1～5∶1。

9.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，去除所述图形化的非晶碳层的方法为：等离化氧气形成氧等离子体；在温度范围为150℃～450℃的条件下使所述氧等离子体流过非晶碳，灰化去除图形化的非晶碳层；或者，利用氢氟酸溶液或硫酸溶液去除图形化的非晶碳层。

10.如权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述MEMS器件包括微机电传感器、MEMS开关、MEMS光阀。