[发明专利]用在磁控溅射设备中的一体化阳极和活性反应气体源装置

权利要求书

1.一种用于使物体镀有镀膜的磁控溅射设备，包括：

镀膜室，其适合于在操作中被抽真空；

阴极，其包括靶，所述靶包括用于形成镀膜的材料；

一个或多个镀膜区域，其具有支撑物以支撑在所述镀膜区域内的待镀膜的物体；以及

一体化阳极和活性反应气体源装置，其包括容器，所述容器包括：

所述容器的内导电表面，所述内导电表面电耦合到电源的正输出端，包括用于将电压差提供到所述阴极的阳极，使得所述阳极是电子的优选返回路径；

所述容器的绝缘外表面，与所述镀膜室的室壁电绝缘；

通向所述容器的内部的与所述镀膜室连通的单个开口；

溅射气体源，其被耦合到所述容器中，用于通过所述单个开口将溅射气体提供到所述镀膜室中；以及

反应气体源，其被耦合到所述容器中，用于通过所述单个开口将反应气体提供到所述镀膜室中。

2.如权利要求1所述的磁控溅射设备，其中所述单个开口比所述容器的圆周小，以使所述内导电表面与大部分被溅射的材料隔离。

3.如权利要求2所述的磁控溅射设备，其中设置所述单个开口的尺寸，使得溅射气体和反应气体的气流能够被选择成局部地升高所述容器内的压力以高于所述镀膜室中的压力。

4.如权利要求3所述的磁控溅射设备，其中提供到所述阳极的电压是15到80伏，所述阳极包括所述容器的所述内导电表面。

5.如权利要求4所述的磁控溅射设备，其中所述溅射气体是氩，而所述反应气体是氧或氮。

6.如权利要求5所述的磁控溅射设备，其中包括所述一体化阳极和活性反应气体源装置的所述容器的所述单个开口被耦合到所述镀膜室的室壁，所述室壁为所述镀膜室与所述阴极相邻的共同室壁。

7.如权利要求6所述的磁控溅射设备，其中所述容器的绝缘外表面被布置在所述镀膜室的外部。

8.如权利要求7所述的磁控溅射设备，其中从待镀膜的物体的表面平面到包含所述容器的所述单个开口的平面的距离等于或大于从待镀膜的物体的表面平面到所述靶的表面平面的距离。

9.如权利要求8所述的磁控溅射设备，其中包括所述一体化阳极和活性反应气体源装置的两个或多个容器被布置在邻近所述阴极的基本上相对的位置处。

10.如权利要求8所述的磁控溅射设备，还包括用以补充所述一体化阳极和活性反应气体源装置的另一反应气体源。

11.如权利要求8或10所述的磁控溅射设备，其中所述阴极是具有环形靶的环形形状，且包括所述一体化阳极和活性反应气体源装置的所述容器被布置在环形阴极的中心处。

12.如权利要求11所述的磁控溅射设备，其中所述环形阴极被布置在离中心旋转轴的径向距离处，且一个或多个镀膜区域适合于在相同的径向距离处绕着所述中心旋转轴旋转，使得在操作中所述镀膜区域正好在所述环形阴极以及所述阴极中心处的所述一体化阳极和活性反应气体源装置之上通过。

13.如权利要求8或10所述的磁控溅射设备，其中所述一个或多个镀膜区域适合于绕着与所述阴极的中心点重合的中心旋转轴旋转，且所述镀膜区域以及所述一体化阳极和活性反应气体源装置被布置在离所述中心旋转轴的相同径向距离处，使得在操作中所述镀膜区域正好在所述容器的所述单个开口之上通过。

14.如权利要求8或10所述的磁控溅射设备，其中所述阴极以及所述一体化阳极和活性反应气体源装置被布置成在离中心旋转轴的径向距离处彼此相邻，且所述镀膜区域适合于在离所述中心旋转轴的相同径向距离处旋转，使得在操作中所述镀膜区域正好在所述阴极以及所述一体化阳极和活性反应气体源装置之上通过。

15.如权利要求8或10所述的磁控溅射设备，其中所述阴极被布置在离中心旋转轴的径向距离处，且两个一体化阳极和活性反应气体源装置在所述阴极的任一侧上被布置在离所述中心旋转轴的相同径向距离处，所述镀膜区域适合于在与所述阴极以及所述一体化阳极和活性反应气体源装置相同的径向距离处绕着所述中心旋转轴旋转，使得在操作中所述镀膜区域正好在所述阴极以及所述一体化阳极和活性反应气体源装置之上通过。

16.如权利要求15所述的磁控溅射设备，其中所述两个一体化阳极和活性反应气体源装置在操作中连续运行。