[发明专利]光电转换器件及其制造方法、用于光电转换器件的电解质层以及电子设备无效
申请号: | 201110304109.0 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102543493A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 津田辽平;熊谷洁 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/022;H01G9/035;H01M14/00;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 肖善强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 及其 制造 方法 用于 电解质 以及 电子设备 | ||
1.一种光电转换器件,其具有如下结构,其中,由含有电解液的多孔膜构成的电解质层被设置在多孔光电极和对电极之间。
2.如权利要求1的光电转换器件,其中,所述多孔膜包含无纺织物。
3.如权利要求2的光电转换器件,其中,所述无纺织物包括聚烯烃、聚酯或纤维素。
4.如权利要求3的光电转换器件,其中,所述多孔膜具有不小于80%且小于100%的孔隙率。
5.如权利要求4的光电转换器件,其中,所述电解液是离子液体电解液。
6.如权利要求1的光电转换器件,其中,pKa在6.04≤pKa≤7.3范围内的添加剂被添加到电解液中并且/或者pKa在6.04≤pKa≤7.3范围内的添加剂被吸附到所述多孔光电极和所述对电极的至少一个中的面向所述电解质层的表面上。
7.如权利要求6的光电转换器件,其中,所述添加剂是吡啶添加剂或具有杂环的添加剂。
8.如权利要求7的光电转换器件,其中,所述添加剂是选自如下物质组成的组中的一种或多种:2-氨基吡啶、4-甲氧基吡啶、4-乙基吡啶、N-甲基咪唑、2,4-二甲基吡啶、2,5-二甲基吡啶、2,6-二甲基吡啶、3,4-二甲基吡啶和3,5-二甲基吡啶。
9.如权利要求6的光电转换器件,其中,所述电解液的溶剂具有不小于47.36的分子量。
10.如权利要求9的光电转换器件,其中,所述溶剂是3-甲氧基丙腈、甲氧基乙腈、或者乙腈和戊腈的混合液体。
11.如权利要求1的光电转换器件,其中,所述光电转换器件是染料增感型光电转换器件,其具有结合到所述多孔光电极上的光敏染料。
12.如权利要求11的光电转换器件,其中,所述多孔光电极由包含半导体的颗粒构成。
13.如权利要求1的光电转换器件,其中,所述电解液的溶剂包含具有电子接受官能团的离子液体和具有电子供应官能团的有机溶剂。
14.如权利要求1的光电转换器件,其中,所述多孔光电极由颗粒组成,每个所述颗粒都包含含有金属的核和围绕该核的含有金属氧化物的壳。
15.一种用于制造光电转换器件的方法,所述方法包括:
将多孔膜设置在多孔光电极和对电极的其中之一上;并且
将所述多孔光电极和所述对电极中的另一个设置在所述多孔膜上。
16.如权利要求15的用于制造光电转换器件的方法,其中,所述多孔膜包含电解液,并且含有所述电解液的所述多孔膜构成电解质层。
17.如权利要求15的用于制造光电转换器件的方法,其中,在将所述多孔膜设置在所述多孔光电极上之后,将所述对电极设置在所述多孔膜上。
18.如权利要求17的用于制造光电转换器件的方法,还包括:在所述多孔膜被设置在所述多孔光电极上之后并且在所述对电极被设置在所述多孔膜上之前,压缩所述多孔膜。
19.一种用于光电转换器件的电解质层,其包含:含有电解液的多孔膜。
20.一种电子设备,其至少包含:
光电转换器件,
其中,所述光电转换器件具有如下结构:由含有电解液的多孔膜构成的电解质层被设置在多孔光电极和对电极之间。
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