[发明专利]一种高强度芯片封装结构无效
| 申请号： | 201110305085.0 | 申请日： | 2011-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102368481A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 徐子旸 | 申请（专利权）人： | 常熟市广大电器有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/36 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强度 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高强度芯片封装结构，该高强度芯片封装结构主要包括金属引脚、基板、芯片和封装体，其特征在于，所述的封装体采用多层结构设计，从内到外分别由封胶层、金属层和散热层组成，所述的金属层采用金属喷镀工艺，成型于封胶层表面，所述的散热层贴覆于金属层外部，起到散热及防护作用。
2.根据权利要求1所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的金属层可选用铜、铝或低碳合金钢作为镀层材料。
3.根据权利要求2所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的金属层厚度可以是60-100um。
4.根据权利要求2所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的金属层上分布若干孔洞，该结构有利于抵消芯片封装结构受外力作用下产生拉、压应力以及剪切应力。
5.根据权利要求4所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的金属层上分布的孔洞结构还有利于提高封装结构的散热性能。
6.根据权利要求4所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的金属层上分布的孔洞可以是圆形、三角形或是多边形，孔洞的面积总和约占金属层总面积的4%-6%。
7.根据权利要求1所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的散热层采用喷淋工艺进行制备，该层厚度不超过20um。
8.根据权利要求7所述的高强度芯片封装结构，其特征在于，所述的散热层材料为散热型硅胶。
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