[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201110305126.6 | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN102651447A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 李荣培;申明洲;白昇桓 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
基底;
发光单元,位于所述基底上,并且产生光;
封装层,覆盖所述发光单元;以及
覆层,包括有机材料,并且位于所述封装层上,
其中,所述覆层的折射率大于空气的折射率并且小于所述封装层的折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其中,
所述覆层包括油酸、棕榈酸、二十碳烯酸、芥酸中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其中,
所述封装层在其内包括荧光体。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其中,
所述荧光体是氧化物基团化合物或氮化物基团化合物。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其中,
所述荧光体包括在具有β型氮化硅(Si3N4)晶体结构的晶体中包括铕(Eu)的氮化物晶体或氮氧化物晶体。
6.根据权利要求4所述的发光二极管,其中,
所述荧光体包括绿色波长范围的(Ba,Sr,Ca)2SiO4:Eu2+、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2ZnSi2O7:Eu2+、BaAl2O4:Eu2+、SrAl2O4:Eu2+、BaMgAl10O17:Eu2+,Mn2+和BaMg2Al16O27:Eu2+中的至少一种。
7.根据权利要求4所述的发光二极管,其中,
所述荧光体包括蓝色波长范围的BaMg2Al16O27:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+、BaAl18O13:Eu2+、(Sr,Mg,Ca,Ba)5(PO4)3Cl:Eu2+和Sr2Si3O8·2SrCl2:Eu2+中的至少一种。
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