[发明专利]触控面板的制备方法无效
申请号: | 201110305175.X | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN102654807A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 孙涛;林允植 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及触控面板技术领域,尤其涉及触控面板的制备方法。
背景技术
目前,触控面板技术主要有以下四类:电阻式触控面板、电容式触控面板、红外线式触控面板和表面声波式触控面板。其中电容式触控面板由于其准确度高、使用寿命长、抗干扰能力强等各方面的优点而被广泛的应用。
光刻掩膜工艺是制备触控面板的必要工艺,光刻掩膜的成本在制备触控面板的总成本中占很大的比例,而且光刻掩膜工艺花费的时间很长,光刻掩膜的品质对产品的良率也起到很大的作用。目前,在基板上单侧面镀有单层透明导电层的触控面板的制备工艺需要进行三次光刻掩膜。如图1所示,首先在基板上使用第一次光刻掩膜工艺制备出透明导电层图案5,然后在透明导电层图案5上使用第二次光刻掩膜工艺制备出绝缘层4,在绝缘层4上使用第三次光刻掩膜工艺制备出连接线7。
发明人发现现有的三次光刻掩膜工艺生产周期比较长,影响产量,而且多次的光刻掩膜过程,会增加产品被污染和损坏的概率,影响触控面板的良率。
发明内容
本发明的实施例提供一种触控面板的制备方法,减少了光刻掩膜工艺的使用次数,降低了成本,提高了触控面板的产量和良率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种触控面板的制备方法,包括:
在基板上形成透明导电层材料,在所述透明导电层材料上形成绝缘层材料,通过构图工艺形成绝缘层和绝缘层下的透明导电层图案;
在所述绝缘层上形成连接线材料,通过构图工艺形成连接线图案。
所述通过构图工艺形成绝缘层和绝缘层下的透明导电层图案的步骤包括:
在所述绝缘层材料上涂布一层光刻胶;
采用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影,光刻胶形成完全保留区域、部分保留区域以及完全去除区域;
通过刻蚀工艺去掉完全去除区域的所述绝缘层材料,形成第一绝缘层图形,所述第一绝缘层图形由数个第一绝缘层图案组成;
通过过刻蚀工艺去掉暴露的所述透明导电层材料,形成透明导电层图形,所述透明导电层图形由数个透明导电层图案组成,所述透明导电层的图案小于位于其上的第一绝缘层图案;
通过灰化工艺去掉除所述完全保留区域以外的光刻胶;
通过刻蚀工艺去掉暴露的第一绝缘层图形,形成第二绝缘层图形,所述第二绝缘层图形由数个第二绝缘层图案组成;
去掉剩余的光刻胶。
还包括:在所述连接线上设置保护层,所述基板和保护层材质为玻璃、石英、柔性薄膜或塑料。
本发明实施例的制备方法,使用两次光刻掩膜工艺制备触控面板,相对于现有技术中通过三次光刻掩膜工艺制备触控面板,即通过光刻掩膜工艺形成透明导电层后,利用光刻掩膜工艺形成位于透明导电层上的绝缘层,最后再次利用光刻掩膜工艺形成连接线,本发明实施例的制备方法采用半色调掩模板对所述光刻胶进行曝光和显影,然后通过两次刻蚀工艺分别形成透明导电层和绝缘层,再通过光刻掩膜工艺形成连接线,减少了一次光刻掩膜工艺的使用,降低了成本,提高了触控面板的产量和良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中触控面板的剖面结构示意图;
图2为本发明实施例触控面板的制备方法的流程图;
图3为本发明实施例中触控面板的结构示意图;
图4为本发明实施例中步骤101的流程图;
图5为本发明实施例中形成透明导电层材料后的结构示意图;
图6为本发明实施例中形成绝缘层材料后的结构示意图;
图7为本发明实施例中利用半色调掩模板曝光、显影后的光刻胶结构示意图;
图8为本发明实施例中刻蚀绝缘层后的结构示意图;
图9为本发明实施例中绝缘层图形的结构示意图;
图10为本发明实施例中刻蚀透明导电层后的结构示意图;
图11为本发明实施例中透明导电层图形的结构示意图;
图12为本发明实施例中灰化光刻胶后的结构示意图;
图13为本发明实施例中第二次刻蚀绝缘层后的结构示意图;
图14为本发明实施例中第二绝缘层图形的结构示意图;
图15为本发明实施例中去掉光刻胶后的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110305175.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。