[发明专利]芘主链聚合物及含有该聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法有效
申请号: | 201110305955.4 | 申请日: | 2007-12-31 |
公开(公告)号: | CN102516503A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 尹敬皓;金钟涉;鱼东善;吴昌一;邢敬熙;金旼秀;李镇国 | 申请(专利权)人: | 第一毛织株式会社 |
主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/10;G03F7/00;G03F7/09;G03F7/11 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周建秋;王凤桐 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芘主链 聚合物 含有 反射 模组 以及 材料 图案 方法 | ||
1.一种芘主链的聚合物,该聚合物由式C表示:
其中:
芘基为未取代的或取代的,
m为至少1且小于750,
n为至少1且小于750,
R1为亚甲基或包括含非芘芳基的连接基团,
R2为氧或具有1至7个碳的烷氧基,其中烷氧基的氧与氢H或基团G结合,且
G为乙烯基或烯丙基。
2.根据权利要求1所述的聚合物,其中,所述芘基为取代的,使得式C由式3表示:
其中:
R3、R4、R5、R6和R7各自独立地为氢、羟基、10个碳以下的烃基、或卤素,且
R3、R4、R5、R6和R7中的至少一个不为氢。
3.根据权利要求2所述的聚合物,其中:
R3、R4、R5、R6和R7中的至少一个为10个碳以下的烃基,且
所述10个碳以下的烃基包括C1-C10烷基、C6-C10芳基、或者烯丙基。
4.根据权利要求1所述的聚合物,其中,R1为:
5.根据权利要求1所述的聚合物,其中,所述聚合物的重均分子量为1000至30000。
6.一种抗反射硬掩模组合物,该组合物含有:
有机溶剂;
引发剂;和
由式C表示的聚合物:
其中:
在式C中,芘基为未取代的或取代的,
m为至少1且小于750,
n为至少1且小于750,
R1为亚甲基或含有芳基连接基,
R2为氧或具有1至7个碳的烷氧基,其中烷氧基的氧与氢H或基团G结合,且
G为乙烯基或烯丙基。
7.根据权利要求6所述的组合物,其中,基于100重量份的所述有机溶剂,所述组合物含有1-30重量份的所述至少一种聚合物。
8.根据权利要求6所述的组合物,其中,所述组合物还含有交联剂和催化剂,其中:
所述组合物含有1-20重量%的所述至少一种聚合物,
所述组合物含有0.001-5重量%的所述引发剂,
所述组合物含有75-98.8重量%的所述有机溶剂,
所述组合物含有0.1-5重量%的所述交联剂,且
所述组合物含有0.001-0.05重量%的所述催化剂。
9.根据权利要求6所述的组合物,其中,所述组合物还含有交联剂,其中所述交联剂包括醚化的氨基树脂、N-甲氧基甲基三聚氰胺树脂、N-丁氧基甲基三聚氰胺树脂、甲基化的脲树脂、丁基化的脲树脂、甘脲衍生物、2,6-双(羟甲基)-对甲酚化合物、或双环氧化合物中的一种或几种。
10.一种材料层的图案化方法,该方法包括:
使用根据权利要求6所述的组合物在所述材料层上形成硬掩模层;
在所述硬掩模层上形成辐射敏感成像层;
以形成图案的方式将成像层暴露到辐射下,以在所述成像层中形成辐射曝光区域的图案;
选择性地除去部分所述成像层和所述硬掩模层以暴露部分所述材料层;以及
蚀刻通过所述硬掩模层中的开口暴露的部分材料层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于第一毛织株式会社,未经第一毛织株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110305955.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:确定病人传输函数以及建模病人对药物注射的响应
- 下一篇:半导体硅片的清洗方法