[发明专利]可挠性显示设备的制造方法无效
申请号: | 201110306113.0 | 申请日: | 2011-10-11 |
公开(公告)号: | CN103000491A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 唐文忠;舒芳安;蔡燿州;辛哲宏 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠性 显示 设备 制造 方法 | ||
优先权
本申请主张同一申请人于2011年9月16日向中国台湾提交的标题为“可挠性显示设备的制造方法”,申请号为TW100133496的专利申请的优先权。
技术领域
本发明是有关于一种可挠性显示设备,且特别是有关于一种可挠性显示设备的制造方法。
背景技术
图1与图2所示为一种现有的可挠性显示设备的制造方法的流程示意图。请先参照图1,现有的可挠性显示设备的制造方法是先在玻璃基板110上形成可挠性基板120,然后在可挠性基板120上依次形成隔绝层130和显示单元140。然后,如图2所示,进行激光退火(laser annealing)制程,并将可挠性基板120从玻璃基板110剥离。
然而,上述制造方法中所使用的生产机台和材料的成本较高,且在将可挠性基板120从玻璃基板110剥离的过程中,施加于可挠性基板120的应力可能会造成可挠性基板120上的元件受损,导致生产良率变差。
为此,现有技术提出另一种可挠性显示设备的制造方法。如图3所示,现有另一种可挠性显示设备的制造方法是先在玻璃基板210上设置低黏性的离型层230(release layer),然后再将可挠性基板220覆盖于离型层230上。之后,于可挠性基板220上制作隔绝层240和显示单元250。接着,沿着切割线L1切割可挠性基板220。
然后,如图4所示,将可挠性基板220连同其上的隔绝层240和显示单元250自玻璃基板210剥离。
然而,上述制造方法在剥离过程中仍需施加应力将玻璃基板210和可挠性基板220分离,因此仍有可能会造成可挠性基板220上的元件受损,导致生产良率变差。除此之外,可挠性基板220的下表面222可能会残留有离型层的胶材232而需额外花费时间清除,以至于增加生产成本。
发明内容
本发明提供一种可挠性显示设备的制作方法,以提升可挠性显示设备的生产效率。
为达上述优点,本发明的实施例提出一种可挠性显示设备的制造方法,其包括下列步骤:首先,提供可挠性基板,而此可挠性基板具有承载部与围绕承载部的切除部。之后,通过第一黏性材料将可挠性基板的切除部黏接于刚性基板上,其中第一黏性材料位于切除部与刚性基板之间。接着,于承载部上形成显示单元。然后,分离承载部与切除部。
综上所述,本发明的实施例的可挠性显示设备的制造方法主要是利用位于切除部与刚性基板之间的第一黏性材料将可挠性基板的切除部黏接于刚性基板上,所以在将可挠性基板的承载部与切除部分离之后,可挠性基板的承载部与刚性基板之间可轻易分离,因而提高了可挠性显示设备的生产效率及生产良率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1与图2所示为一种现有的可挠性显示设备的制造方法的流程示意图。
图3与图4所示为另一种现有的可挠性显示设备的制造方法的流程示意图。
图5A至图5D所示为本发明一实施例的一种可挠性显示设备的制造方法的流程示意图。
图6所示为图5A中可挠性基板的俯视示意图。
图7所示为本发明另一实施例的一种可挠性显示设备的制造方法的一个步骤的示意图。
图8所示为本发明又一实施例的一种可挠性显示设备的制造方法的一个步骤中可挠性基板的俯视示意图。
图9所示为本发明再一实施例的一种可挠性显示设备的制造方法的一个步骤中可挠性基板的俯视示意图。
图10所示为本发明另一实施例的一种可挠性显示设备的制造方法的一个步骤的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的可挠性显示设备的制造方法具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造