[发明专利]栅极绝缘层、TFT、阵列基板、显示装置以及制备方法

权利要求书

1.一种栅极绝缘层的制备方法，其特征在于，包括：

沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层；

在所述第二氮化硅层上沉积氮掺杂非晶硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层，具体包括：

采用等离子增强化学气相沉积法，按照射频功率范围为8000W～10000W，硅烷流量与氨气流量比在0.2～0.4之间的条件，沉积厚度为之间的第一氮化硅层；

按照射频功率范围为4000W～5000W，硅烷流量与氨气流量比在0.2～0.4之间的条件，在第一氮化硅层上沉积厚度为之间的第二氮化硅层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在沉积第一氮化硅层和第二氮化硅层的过程中通入氮气；

在所述第二氮化硅层上沉积氮掺杂非晶硅层，具体包括：

按照功率范围为1000～2000W，硅烷流量在1000sccm～3000sccm之间，氨气流量在50sccm～400sccm之间，硅烷流量与氨气流量比在10～50之间，在开始沉积氮掺杂非晶硅层时终止氮气通入的条件，在第二氮化硅层上沉积厚度为之间的氮掺杂非晶硅层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，沉积氮掺杂非晶硅层的条件还包括：在开始沉积氮掺杂非晶硅层时通入氢气。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，通入氢气的流量在5000sccm～10000sccm之间。

6.如权利要求1～5任一所述的方法，其特征在于，

在沉积第二氮化硅层之后，且沉积氮掺杂非晶硅层之前，所述方法还包括：

对沉积的第二氮化硅层进行氢气等离子体处理；

和/或

在沉积氮掺杂非晶硅层之后，所述方法还包括：

对沉积的氮掺杂非晶硅层进行氢气等离子体处理。

7.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：

利用权利要求1～6任一所述的栅极绝缘层的制备方法来制备栅极绝缘层。

8.一种栅极绝缘层，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：

第一氮化硅层，以及沉积在第一氮化硅层上的第二氮化硅层；

沉积在第二氮化硅层上的氮掺杂非晶硅层。

9.如权利要求8所述的栅极绝缘层，其特征在于，

所述第一氮化硅层的厚度为

所述第二氮化硅层的厚度为

所述氮掺杂非晶硅层的厚度为

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括权利要求8或9所述的栅极绝缘层。

11.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求10所述的薄膜晶体管。

12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。