[发明专利]低功率上电复位(POR)电路

权利要求书

1.一种设备，包括：

第一电压检测电路，被配置为在第一电源电压时产生输出信号，并被配置为在大于所述第一电源电压的第二电源电压时为非监测状态；

第二电源检测电路，被配置为从非监测状态变为监测状态，并被配置为在所述第一电源电压和所述第二电源电压之间的第三电源电压时产生输出信号；以及

组合电路，被配置为基于由所述第一电压检测电路产生的所述输出信号和所述第二电压检测电路产生的所述输出信号的逻辑组合产生上电复位信号。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二电压检测电路包括偏压生成电路，所述偏压生成电路被配置为当所述第一电源电压变为所述第三电压电源时触发所述第二电压检测电路从非监测状态变为监测状态。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电压检测电路和所述第二电压检测电路在所述第一电源电压时为不同的监测状态，并且所述第一电压检测电路和所述第二电压检测电路在所述第二电源电压时为不同的监测状态。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二电压检测电路被配置为在所述第三电源电压时触发所述第一电压检测电路从监测状态变为非监测状态。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电源电压大于包含在所述第一电压检测电路中的n-沟道MOSFET器件的阈值电压，所述第一电压检测电路包括高阈值电压NAND电路，所述高阈值电压NAND电路被配置为在大于零但小于所述n-沟道MOSFET器件的所述阈值电压的第四电源电压时使所述第一电压检测电路的所述n-沟道MOSFET器件获得的电流大于所述n-沟道MOSFET器件所获得的所述n-沟道MOSFET器件的漏电流。

6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电源电压大于包含在所述第一电压检测电路中的n-沟道MOSFET器件的阈值电压，所述第二电压检测电路包括偏压生成电路，所述偏压生成电路被配置为当所述第二电压检测电路从所述非监测状态变为所述监测状态时触发流过所述第二电压检测电路的电流升高，所述n-沟道MOSFET器件具有当所述第二电压检测电路处在所述监测状态时降低的电流。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电源电压是工作阈值电压，所述第二电源电压是所述第一电压检测电路的转换电压，所述第一电压检测电路被配置为当所述电源电压超过所述第一电压检测电路的所述转换电压时将所述第一电压检测电路产生的所述输出信号从有效值变为禁用值，

所述第二电压检测电路被配置为当所述电源电压超过所述第二电压检测电路的转换电压时将所述第一电压检测电路产生的所述输出信号从有效值变为禁用值，所述第二电压检测电路的所述转换电压不同于所述第一电压检测电路的所述转换电压。

8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二电源电压大于包含在所述第一电压检测电路中的p-沟道MOSFET器件的阈值电压的绝对值加上n-沟道MOSFET器件的阈值电压，所述第二电压检测电路产生的所述输出信号在所述第二电源电压时具有禁用值，

所述第三电源电压等于所述p-沟道MOSFET器件的所述阈值电压的绝对值加上所述n-沟道MOSFET器件的所述阈值电压，所述第二电压检测电路产生的所述输出信号在所述第三电源电压时具有有效值。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，

所述第一电压检测电路产生的所述输出信号在所述第一电源电压时具有有效值，

所述第二电源电压大于所述第三电源电压，所述第一电压检测电路产生的所述输出信号在所述第二电源电压时具有所述有效值，

所述第三电源电压等于包含在所述第一电压检测电路中的p-沟道MOSFET器件的阈值电压的绝对值加上n-沟道MOSFET器件的阈值电压，所述第一电压检测电路产生的所述输出信号在所述第三电源电压处具有禁用值。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一电压检测电路产生的所述输出信号在所述第三电源电压时具有有效值，

所述第二电压检测电路产生的所述输出信号在所述第三电源电压时具有有效值，

所述逻辑组合电路产生的所述上电复位信号基于所述第一电压检测电路产生的、具有所述有效值的所述输出信号以及所述第二电压检测电路产生的、具有所述有效值的所述输出信号的逻辑组合具有有效值。