[发明专利]硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种硬掩模组合物，包括：

一种化合物和溶剂，所述化合物包括用以下化学式1表示的结构单元：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

A是-CH-或多价芳环基团，

X是取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C3-C30环亚烷基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C3-C30环亚烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基亚烷基、取代的或未取代的C1-C20杂亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代的或未取代的C2-C30亚烯基、取代的或未取代的C2-C30亚炔基、或它们的组合，

L是单键、取代的或未取代的C1-C20亚烷基、取代的或未取代的C3-C30环亚烷基、取代的或未取代的C6-C30亚芳基、取代的或未取代的C3-C30环亚烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基亚烷基、取代的或未取代的C1-C20杂亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环亚烷基、取代的或未取代的C2-C30杂亚芳基、取代的或未取代的C2-C30亚烯基、取代的或未取代的C2-C30亚炔基、或它们的组合，

R₁和R₂各自独立地是氢、羟基、卤素、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C30环烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C3-C30环烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基烷基、取代的或未取代的C1-C20杂烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环烷基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基、取代的或未取代的C2-C30烯基、取代的或未取代的C2-C30炔基、取代的或未取代的C1-C30烷氧基、或它们的组合，并且

n₁是1至6的整数，以及n₂为1至190。

2.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，A选自下组1中所示的取代的或未取代的芳环之一：

[组1]

其中，在组1中，

Y₁至Y₁₆各自独立地是氢、羟基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C30环烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C3-C30环烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基烷基、取代的或未取代的C1-C20杂烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环烷基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基、取代的或未取代的C2-C30烯基、取代的或未取代的C2-C30炔基、取代的或未取代的C1-C30烷氧基、卤素、或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，B选自下组2中所示的取代的或未取代的芳环之一：

[组2]

其中，在组2中，

Z₁至Z₁₆各自独立地是氢、羟基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C3-C30环烷基、取代的或未取代的C6-C30芳基、取代的或未取代的C3-C30环烯基、取代的或未取代的C7-C20芳基烷基、取代的或未取代的C1-C20杂烷基、取代的或未取代的C2-C30杂环烷基、取代的或未取代的C2-C30杂芳基、取代的或未取代的C2-C30烯基、取代的或未取代的C2-C30炔基、取代的或未取代的C1-C30烷氧基、卤素、或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述化合物具有约2000至约10000的重均分子量。

5.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，基于所述硬掩模组合物总量，所包括的所述化合物和所述溶剂的量分别为约1wt％至约20wt％和约80wt％至约99wt％。

6.根据权利要求1所述的硬掩模组合物，其中，所述溶剂包括选自丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)、环己酮、和乳酸乙酯的至少之一。