[发明专利]光探测器集成器件及制备方法

权利要求书

1.一种光探测器集成器件，其特征在于，包括：半导体衬底、由下到上层叠在所述半导体衬底之上的至少两个单载流子传输探测器，所述每个单载流子传输探测器均包括：P型宽禁带阻挡层、P型窄禁带吸收层、非高掺杂宽禁带载流子耗尽层、N型宽禁带载流子收集层及至少一层重掺杂欧姆接触层；位于最底部的单载流子传输探测器底部的重掺杂欧姆接触层上设置有第一电极，位于最顶部的单载流子传输探测器顶层的重掺杂欧姆接触层上设置有第三电极。

2.如权利要求1所述的光探测器集成器件，其特征在于，包括两个单载流子传输探测器，位于所述半导体衬底上的第一单载流子传输探测器和位于所述第一单载流子传输探测器上的第二单载流子传输探测器，

所述第一单载流子传输探测器包括：位于所述第一单载流子传输探测器底层的P型重掺杂欧姆接触层，依次往上层叠的P型宽禁带电荷阻挡层，P型窄禁带吸收层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，N型宽禁带载流子收集层，N型重掺杂欧姆接触层；

所述第二单载流子传输探测器包括：位于所述第二单载流子传输探测器顶层的P型重掺杂欧姆接触层，依次往下层叠的P型宽禁带电荷阻挡层，P型窄禁带吸收层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，N型宽禁带载流子收集层，所述N型重掺杂欧姆接触层。

3.如权利要求1所述的光探测器集成器件，其特征在于，包括两个单载流子传输探测器，位于所述半导体衬底上的第一单载流子传输探测器和位于所述第一单载流子传输探测器上的第二单载流子传输探测器，

所述第一单载流子传输探测器包括：位于所述第一单载流子传输探测器底层的N型重掺杂欧姆接触层，依次往上层叠的N型宽禁带载流子收集层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，P型窄禁带吸收层，P型宽禁带电荷阻挡层，P型重掺杂欧姆接触层；

所述第二单载流子传输探测器包括：位于所述第二单载流子传输探测器顶层的N型重掺杂欧姆接触层，依次往下层叠的N型宽禁带载流子收集层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，P型窄禁带吸收层，P型宽禁带电荷阻挡层，所述P型重掺杂欧姆接触层。

4.如权利要求1所述的光探测器集成器件，其特征在于，包括两个单载流子传输探测器，位于所述半导体衬底上的第一单载流子传输探测器和位于所述第一单载流子传输探测器上的第二单载流子传输探测器，

所述第一单载流子传输探测器包括：位于所述第一单载流子传输探测器底层的P型重掺杂欧姆接触层，依次往上层叠的P型宽禁带电荷阻挡层，P型窄禁带吸收层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，N型宽禁带载流子收集层，N型重掺杂欧姆接触层；

所述第二单载流子传输探测器包括：位于所述第二单载流子传输探测器顶层的N型重掺杂欧姆接触层，依次往下层叠的N型宽禁带载流子收集层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，P型窄禁带吸收层，P型宽禁带电荷阻挡层，P型重掺杂欧姆接触层；或

第一单载流子传输探测器的N型重掺杂欧姆接触层和第二单载流子传输探测器的P型重掺杂欧姆接触层仅保留其中一层。

5.如权利要求1所述的光探测器集成器件，其特征在于，包括两个单载流子传输探测器，位于所述半导体衬底上的第一单载流子传输探测器和位于所述第一单载流子传输探测器上的第二单载流子传输探测器，

所述第一单载流子传输探测器包括：位于所述第一单载流子传输探测器底层的N型重掺杂欧姆接触层，依次往上层叠的N型宽禁带载流子收集层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，P型窄禁带吸收层，P型宽禁带电荷阻挡层，P型重掺杂欧姆接触层；

所述第二单载流子传输探测器包括：位于所述第二单载流子传输探测器顶层的P型重掺杂欧姆接触层，依次往下层叠的P型宽禁带电荷阻挡层，P型窄禁带吸收层，非高掺杂宽禁带载流子耗尽层，N型宽禁带载流子收集层，N型重掺杂欧姆接触层；或

第一单载流子传输探测器的P型重掺杂欧姆接触层和第二单载流子传输探测器的N型重掺杂欧姆接触层仅保留其中一层。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的光探测器集成器件，其特征在于，所述的半导体衬底和所述最底部的单载流子传输探测器之间还包括缓冲层。

7.如权利要求6所述的光探测器集成器件，其特征在于，位于最底部和最顶部的单载流子传输探测器之间的重掺杂欧姆接触层上还设置有第二电极。

8.如权利要求6所述的光探测器集成器件，其特征在于，所述第一电极和第三电极连接。