[发明专利]一种TFT-LCD阵列基板构造及其制造方法

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD的方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板的像素区域形成半导体层，并采用掩膜工艺在所述半导体层上形成半导体有源层；

在所述玻璃基板的像素区域和数据区域上顺序形成像素电极层和源漏电极层，并采用掩膜工艺在像素区域形成的像素电极层上形成像素电极，在像素区域的源漏电极层上形成源漏电极；

在玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上顺序形成绝缘层、栅极层和光刻胶，采用灰阶掩膜工艺和显影工艺对光刻胶进行处理后，形成完全去除区域、完全保留区域、第一部分保留区域和第二部分保留区域，其中，第一部分保留区域的光刻胶厚度大于第二部分保留区域的光刻胶厚度；

在玻璃基板上的数据区域中对完全去除区域的栅极层和绝缘层进行刻蚀，以及对像素区域、数据区域和栅极区域上覆盖的光刻胶进行灰化，并对玻璃基板上的像素区域上经光刻胶灰化后暴露的栅极层进行刻蚀，以及对玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上覆盖的光刻胶再次进行灰化；

在玻璃基板上的像素区域、数据区域和栅极区域上形成公共电极层，并将覆盖有公共电极层的光刻胶进行剥离，以及对经光刻胶剥离后暴露的栅极层进行刻蚀，在像素区域的栅极层上形成栅电极、在像素区域的公共电极层上形成公共电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一像素电极层和公共电极层采用氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏电极层和栅极层采用导电性金属材料，包括钼Mo、铝AL、钛Ti或铜Cu。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层采用氮化硅SiNx或者氮氧化硅SiON。 

5.一种薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD，其特征在于，包括：

位于玻璃基板上像素区域上的由半导体层形成的半导体有源层；

覆盖在所述半导体有源层上的由未被源漏电极覆盖的像素电极层形成的像素电极；

覆盖在非像素电极上由源漏电极层形成的源漏电极；

覆盖在所述源漏电极上的绝缘层；

覆盖在所述绝缘层上的由栅极层形成的栅电极；

覆盖在部门栅电极上的由公共电极层形成的梳状的公共电极。

6.如权利要求5所述的TFT-LCD，其特征在于，所述第一像素电极层和公共电极层采用氧化铟锡ITO或者氧化铟锌IZO。

7.如权利要求5所述的TFT-LCD，其特征在于，所述源漏电极层和栅极层采用Mo钼、铝AL、钛Ti或铜Cu。

8.如权利要求5所述的TFT-LCD，其特征在于，所述绝缘层采用氮化硅SiN_x或者氮氧化硅SiON。