[发明专利]光变防伪元件有效
| 申请号： | 201110307944.X | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103050055A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 孙凯;朱军 | 申请（专利权）人： | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 |
| 主分类号： | G09F3/02 | 分类号： | G09F3/02;B44F1/12 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 100070 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防伪 元件 | ||
1.一种光变防伪元件，包括基材和形成于基材表面上的第一干涉区和第二干涉区，其特征在于，
第一干涉区包括第一反射层，第一介质层，以及第一吸收层；
第二干涉区包括第二反射层，第二介质层，以及第二吸收层；
其中，第一介质层的厚度和第二介质层的厚度不同，以使得在第一角度观测时，第一干涉区呈现第一颜色，第二干涉区呈现第二颜色，在第二角度观测时，第一干涉区呈现与第二颜色匹配的颜色，第二干涉区呈现与第一颜色匹配的颜色。
2.根据权利要求1所述的元件，其中，第一颜色和第二颜色为互补色。
3.根据权利要求1所述的元件，其中，第一角度为0-20°；第二角度为30-70°。
4.根据权利要求1所述的元件，其中，第一介质层和第二介质层由折射率小于1.7的材料制成。
5.根据权利要求4所述的元件，其中，第一介质层和第二介质层的材料选自MgF2、SiO2和Al2O3中的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的元件，其中，当采用SiO2制成第一介质层和第二介质层时，第一介质层和第二介质层的厚度分别为510±20nm和615±20nm；当采用MgF2制成第一介质层和第二介质层时，第一介质层和第二介质层的厚度分别为540±20nm和650±20nm；当采用Al2O3制成第一介质层和第二介质层时，第一介质层和第二介质层的厚度分别为458±20nm和553±20nm。
7.根据权利要求4所述的元件，其中，第一介质层和第二介质层是透明的。
8.根据权利要求1所述的元件，其中，第一吸收层和第二吸收层由折射率和吸收系数的比值在0.8-1.2之间的材料制成。
9.根据权利要求8所述的元件，其中，第一吸收层和第二吸收层的材料选自Cr、Ni、Ti和Co中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的元件，其中，第一吸收层和第二吸收层的厚度为3-15nm。
11.根据权利要求1所述的元件，其中，反射层采用金属Al制成。
12.根据权利要求11所述的元件，其中，反射层厚度大于15nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司，未经中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110307944.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
