[发明专利]一种去除形成镍硅化物后多余镍的方法无效
| 申请号： | 201110307978.9 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446744A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 周军;傅昶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 形成 镍硅化物后 多余 方法 | ||
1.一种去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一衬底上形成有硅区域，并至少包含有氧化硅区域或氮化硅区域；
步骤S2：采用氢氟酸溶液对衬底进行选择性镀镍，于硅区域上形成镍薄膜；
步骤S3：进行快速热退火工艺。
2.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，还包括于步骤S2中形成镍薄膜后淀积阻挡层。
3.根据权利要求2所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，阻挡层的材质为Ti、TiN。
4.根据权利要求2所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，还包括于步骤S3后去除阻挡层。
5.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，硅区域包括栅极区域和源漏区域。
6.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，氧化硅区域包括侧墙和浅沟槽区域。
7.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，步骤S2中形成镍薄膜后，氧化硅区域或氮化硅区域均不包含镍。
8.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，进行步骤S2中采用氢氟酸溶液对衬底进行选择性镀镍时，其电镀过程中加入有Pt。
9.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，步骤S3中进行快速热退火工艺的温度为300-500℃。
10.根据权利要求1所述的去除形成镍硅化物后多余镍的方法，其特征在于，步骤S3中进行快速热退火工艺的时间为10-60s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
