[发明专利]一种镍的回收方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种镍的回收方法。

背景技术

在半导体加工工业中，一般采用形成自对准硅化物工艺，形成半导体装置上半导体结构的预先界定区域中的集成低电阻材料。其中，自对准硅化物工艺，是一种使半导体结构的硅区域与金属反应形成硅化物区域的工艺，该自对准的硅化物可在半导体结构上选择形成，而不必图案化或蚀刻已沉积的硅化物，藉以形成一些低电阻的区域。

随着半导体制程的微缩，在65nm及其以下工艺中，镍（Ni）已经被普遍使用来与硅（Si）材料反应，以在半导体结构上形成自对准硅化物。其中，镍在与硅形成镍硅化物之后，残余的镍目前一般采用湿法来进行处理，如SC₂。但是，湿法去除后镍后，形成包含有镍羰基和乙醇等的化合物，很难分解回收再利用。

发明内容

本发明公开了一种镍的回收方法，其中，包括以下步骤：

步骤S1：收集包含有镍羰基和乙醇的废液； 

步骤S2：对该废液进行第一次加热，以使镍羰基分解为镍单质和一氧化碳； 

步骤S3：过滤回收镍单质或继续第二次加热，乙醇挥发完后收集镍单质。

上述的镍的回收方法，其中，步骤S2中第一次加热的温度为43-60℃。

上述的镍的回收方法，其中，步骤S2中第一次加热的时间为30秒至10分钟。

上述的镍的回收方法，其中，步骤S3中第二次加热的温度为80-200℃。

上述的镍的回收方法，其中，步骤S2中第一次加热的时间为30秒至10分钟。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种镍的回收方法，通过对废液加热至镍羰基的分解温度，使得镍羰基分解为镍单质和一氧化碳，通过过滤或者再次加热即可方便的回收镍单质。

附图说明

图1是本发明一种镍的回收方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：

图1是本发明一种镍的回收方法的流程示意图；如图1所示，本发明一种镍的回收方法：

首先，回收包含有镍羰基和乙醇的废液，对该废液进行第一次加热处理30秒至10分钟，其温度范围为43-60℃。由于，镍羰基在43℃时会分解成镍单质和一氧化碳，且镍单质不溶于乙醇，所以第一次加热后废液中不再包含镍羰基，含有镍单质、一氧化碳和乙醇。

其次，由于此时废液中的固体为镍单质，可以采取过滤直接收集镍，也可以继续第二次加热该废液30秒至10分钟，其温度范围为80-200℃；由于在高温下，一氧化碳和乙醇均被挥发，剩余的固体就是镍单质。

例如：在一种去除形成镍硅化物候多余镍的方法中，首先，在晶片表面淀积镍后进行快速热退火工艺，以使得部分镍与硅形成镍硅化物；然后，将该晶片置于可旋转的反应腔体中，其转速为100-5000rpm，并连续通入含有氨气的一氧化碳气体，其反应压力为1-15MPa，温度为0-50℃，进行15秒至分钟的反应；在此过程中，通过硅片的旋转去除大部分生成的液体镍羰基，并用乙醇清洗，以去除残余的镍羰基。将清洗后的废液收集后，对该废液进行第一次加热处理5分钟，其温度为50℃；由于，镍羰基在43℃时就会分解成镍单质和一氧化碳，且镍单质不溶于乙醇，所以第一次加热后废液中不再包含镍羰基，含有镍单质、一氧化碳和乙醇。然后，由于此时废液中的固体为镍单质，可以采取过滤直接收集镍，也可以继续第二次加热该废液5分钟，其温度为100℃；由于在高温下，一氧化碳和乙醇均被挥发，剩余的固体就是镍单质，于是就可简单、快捷的回收镍。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种镍的回收方法，通过对废液加热至镍羰基的分解温度，使得镍羰基分解为镍单质和一氧化碳，通过过滤或者再次加热即可方便的回收镍单质。

通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。

对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。