[发明专利]一种高性能金属-氧化物-金属电容及其制作方法

权利要求书

1.一种高性能金属-氧化物-金属电容，其特征在于，包括：

形成在第一刻蚀阻挡层上的第一低K值介电层薄膜，所述第一低K值介电层薄膜上覆盖有第一介电层薄膜，所述第一介电层薄膜包括第一高K值区域和第一低K值区域；

形成在第二刻蚀阻挡层上的第二低K值介电层薄膜，所述第二低K值介电层薄膜上覆盖有第二介电层薄膜，所述第二介电层薄膜包括第二高K值区域和第二低K值区域；

所述第二刻蚀阻挡层覆盖所述第一介电层薄膜，所述第二高K值区域位于所述第一高K值区域的竖直上方，所述第二低K值区域位于所述第一低K值区域的竖直上方；

所述第一介电层薄膜中的所述第一高K值区域和第一低K值区域分别设置有金属填充的若干下沟槽，所述第二介电层薄膜中的第二高K值区域和第二低K值区域分别设置有金属填充的若干上沟槽，每一个上沟槽在竖直方向上至少对应一个下沟槽；

竖直贯穿第二低K值介电层薄膜和第二刻蚀阻挡层的接触孔，每一个接触孔分别与一个第二低K值区域中的上沟槽在竖直方向上重合，并接触位于所述接触孔竖直下方的下沟槽。

2.根据权利要求1所述的高性能金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述第一高K值区域的材料为USG，FSG，BD，BD1或BDII中一种，所述第一低K值介电层薄膜以及所述第一低K值区域的材料为USG，FSG，BD，BD1或BDII中比所述第一高K值区域K值低的一种。

3.根据权利要求2所述的高性能金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述第一高K值区域和第二高K值区域的材料相同，所述第一低K值区域和第二低K值区域的材料相同，所述第一低K值介电层薄膜和第二低K值介电层薄膜的材料相同。

4.根据权利要求1或2所述的高性能金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述第一低K值介电层薄膜和所述第二低K值介电层薄膜厚度相同，所述第一介电层薄膜和第二介电层薄膜的厚度相同。

5.根据权利要求4所述的高性能金属-氧化物-金属电容，其特征在于，所述第一低K值介电层薄膜和所述第二低K值介电层薄膜厚度取值范围均为1000~10000A，所述第一介电层薄膜和第二介电层薄膜厚度取值范围均为1000~10000A。

6.一种高性能金属-氧化物-金属电容的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一淀积有第一刻蚀阻挡层的晶圆；

在所述第一刻蚀阻挡层上淀积第一低K值介电层薄膜；

淀积第一介电层薄膜覆盖所述第一低K值介电层薄膜，所述第一介电层薄膜包括第一高K值区域和第一低K值区域；

在所述第一介电层薄膜的第一高K值区域和第一低K值区域中分别刻蚀若干下沟槽并填充金属；

化学机械平坦化所述第一介电层薄膜；

淀积第二刻蚀阻挡层覆盖所述第一介电层薄膜；

在所述第二刻蚀阻挡层上淀积第二低K值介电层薄膜；

淀积第二介电层薄膜覆盖所述第二低K值介电层薄膜，所述第二介电层薄膜包括第二高K值区域和第二低K值区域，所述第二高K值区域位于所述第一高K值区域的竖直上方，所述第二低K值区域位于所述第一低K值区域的竖直上方；

在所述第二介电层薄膜的第二高K值区域和第二低K值区域中分别刻蚀若干上沟槽，每一个上沟槽在竖直方向上至少对应一个下沟槽；

在第二低K值区域下方的第二低K值介电层薄膜中刻蚀接触孔，所述接触孔与一个第二低K值区域中的上沟槽在竖直方向上重合，并接触位于其竖直下方的下沟槽；

在所述上沟槽和所述接触孔中填充金属；

化学机械平坦化所述第二介电层薄膜。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第一介电层薄膜的制作的过程包括如下步骤：

    淀积第一K值介电材料覆盖所述第一低K值介电层薄膜；

刻蚀去除部分所述第一K值介电材料，刻蚀止于所述第一低K值介电层薄膜，位于第一K值介电材料去除部分下方的第一低K值介电层薄膜暴露；

淀积第二K值介电材料覆盖所述第一K值介电材料和所述第一低K值介电层薄膜暴露的部分；

化学机械平坦化所述第二K值介电材料和所述第一K值介电材料，使所述第一K值介电材料暴露。